Discussione: impulso di potenza per fusione fredda

Ciao quoto nabla.....
I parametri da tenere in considerazione sono conducibilità dell'elettrolita, della superficie degli elettrodo dalla distanza di questi e e poi della tensioni in gioco e in fine il comportamento dell'acqua sottoposta a un ddp.
e credo sia proppio questo il punto cosa succede all'acqua sottoposta a una ddp cosi alta e dalla disranza tra gli elettrodi.
Se sono troppo vicini si ottiene un'arco voltaico e non succede nulla semplicemente si scaricano su se stessi e l'aqua semplicenete si sposta verso il meno e verso il più dipende dalla posizione in quel momento delle molecole.
Per coinvolgere il numero di molecole maggiore per me bisogna lavorare a una certa distanza direi 20mm e con un rapporto tra katodo- e anodo+ di 1:2... 1:3 bisogna provare... com una superficie di katodo di 18..20 mmquadri e anodo da 36..40mmquadri. Con la potenza che gli vuoi scaricare dentro in effetti se fossi in te mi metterei al ripareo.
Ciao.

Procederò aumentando la potenza poco alla volta, perchè come vi dicevo già con la sola scarica di 2 condensatori da 100uf ho dei colpi non indifferenti e la luce è bianca-azzurrognola, quindi già siamo a temperature piuttosto alte, magari aumentando l'energia probabilmente si produrranno anche raggi x, perciò ufo a breve catapulati da me con i tuoi strumenti che vediamo di fare qulche rilievo, e se magari recuperi una pellicola sensibile ai raggi x vediamo di fare qualche lastra (quando avrò incrementato la potenza per bene).

Adesso sto realizzando un primo contenitore in vetro immerso in polietilene fuso per reistere agli urti, ai tempi con un condensatore da 1000uf i contenitori in vetro scoppiavano, lo spessore di questo contenitore è di circa 20mm, alzerò la potenza poco alla volta fino a quando questo si spaccherà, dopodichè passerò all'inox.

Originariamente inviata da tecnonick

...sono arrivto anche a dare 50 volt in gate agli irf840 senza ciularli, è chiaro che in queste condizioni si deteriorano prima del previsto, ma non per questo non funzionano, e a 30 volt vanno bene, vuoi proprio essere sicuro? ok dagli 29 volt un pò come i led bianchi no? massima corrente continua 20mA, ma anche se gliene dai 100 vanno bene, semplicemente vivono di meno...

.. mi sono già espresso su questo argomento (pilotaggio).. circa il modo (mio) di vedere la cosa.

NOTA BENE: il LED è una giunzione (come anche una base-emittore per un transistor BJT)... la Gate-Source NO! non a caso in un precedente messaggio, prevedendo l'associazione [a mio avviso non corretta], avevo scritto:

Originariamente inviata da gattmes/Cassandra

ricordo che i mosfets NON hanno una giunzione di base-emmitter che "clampa"!

Ricapitolando e cercando di dettagliare ancora un poco (poi la finisco), sempre per come io a grandi linee procedo/vedo la cosa:
-1) decido quali fornitori tratto
0)...ne "normalizzo" i dati/parametri. Nel caso di absolute maximum rating per la tensione gate-source, prendo il minore di tutti. Esempio pratico: usando i fornitori elencati nel mio prec. messaggio il dato è +-20V
1) dal dato normalizzato, ricavo il dato "declassato" (derating) in funzione di tutte le possibili situazioni (diciamo.. "statiche") di funzionamento dell'oggetto che vado a progettare. Per esempio per quelle tipicamente ambientali potrebbe esserci una riduzione (sparo un dato a caso come "esempio": va visto in funzione di Tmin-Tmax, ecc.) del 10%.. da cui ricavo (nel caso di Vgs max) esempio (sparo un dato...) 18V.
2) definito il valore che NON devo superare se voglio evitare di iniziare a distruggere qualcuno delle centinaia di mossini elementari di cui è magari composto il mio oggetto (=degrado... +- lento) ...mi riferisco ovviamente al caso citato con un mospower HexFet [IR]... o V-mos (Vertical mos)[Siliconix].. o T-mos [Motorola] o.. altra struttura...
...dicevo/scrivevo.. vado a calcolare la massima tensione di pilotaggio "verso" il gate-source (quella di prima infatti è quella all'interno del mos..e non all'esterno) in funzione di alcuni parametri costruttivi (compreso layout circuito stampato) e "commutativi" (esempio effetto dell'induttanza di "source" in funzione della corrente e dei tempi di commutazione.. eventuali riporti di Miller in funzione della "bontà"/impedenza del pilotaggio/driver, ecc. ecc.)
Trovato questo ultimo numero.. esempio 16Vmax...
3) ...vado a verificare l'effettiva tensione di pilotaggio che mi servirebbe (per questo la chiedevo...) che è in funzione tipicamente di quello che il mos deve fare "lato uscita" (drain-source).. oltre che delle caratteristiche intrinseche del mos che sto usando (tensione di soglia,.. "gm",.. ecc... e con tutte le possibili dispersioni di caratteristiche [vedi min-max].. riparametrate nel campo di temperature [le min max di solito sono date SOLO a una temp.. esempio a 25°C]
4) se il dato "3" eccede il dato "2" significa che quel mos e/o quella configurazione non va bene e devo cambiare qualcosa (tipo di mos e/o più mos in parallelo e/o tipo di layout e/o pilotaggio, ecc. ecc.)
5) ...

(nb i numeri prima di "1" riguardano un qualcosa di generale, non strettamente legato a "un progetto")

Ciao gatt, la tua teoria è corretta, ma ai fini pratici possiamo anche tralasciare certe finezze, infatti devi tenere in considerazione che non sto realizzando un dispositivo commerciale, ma solo un dispositivo che dovrà funzionare per 5 minuti.... in questo tempo avrò modo di verificare l'efficienza della cella. Comunque è un attimo ridurre la tensione di gate in caso di problemi, tanto i test inizierò a farli con i 2 mosfet, devo vedere tenendoli attaccati per un pò quanto scaldano e se reggono, dopodichè aumento la potenza. Certo i mosfet che ho usato fanno un pò ridere, come del resto l'irf840, infatti se la commutazione è perfetta altro che 10 ampere, per un istante il picco di scarica potrebbe essere anche di 300 ampere, quindi servirebbero dei mosfet molto più potenti per evitare di usarne sul serio 200 e passa....

Mi pare che gli scr si possano pilotare facendoli condurre anche in base all'impulso di gate, ovvero che non necessariamente restano chiusi dando un impulso, basta darlo in un certo modo, tu sai qualcosa in merito?

Poiu un altra cosa, il fatto che ho preferito far scaricare i condensatori solo di 1/3 è perchè IPOTIZZO che quella parte di tensione da 200 a 0 volt non abbia una grande importanza, perchè probabilmente il plasma si disattiverebbe stando sotto una certa tensione, tu proponevi di usare gli scr per far scaricare COMPLETAMENTE i condensatori, dici che con questa impostazione abbiamo comunque un plasma che si mantiene fino alla completa scarica?

ohhh intanto cominciamo a venire al "dunque", con alcuni dati/specifiche ecc.

..ma ai fini pratici possiamo anche tralasciare certe finezze, infatti devi tenere in considerazione che non sto realizzando un dispositivo commerciale, ma solo un dispositivo che dovrà funzionare per 5 minuti...

non puoi che trovarmi 99,9% in accordo... quindi certe declassamenti possono essere tralasciati (eccetto il discorso dei +-20V, sempre secondo il mio punto di vista..) ..

..faccio un passo avanti e poi ritorno sul discorso "pilotaggio":

..Mi pare che gli scr si possano pilotare.. [omissis].. ovvero che non necessariamente restano chiusi dando un impulso, basta darlo in un certo modo...

Ci sono alcuni "trucchetti", forse applicabili, forse no (bisognerebbe vedere bene tutto l'insieme). Tuttavia consiglio dispositivi ad innesco (SCR, TRIAC) solo se non sono da "spegnere" su commando. Viceversa il ripiego su transistors e/o affini è ampiamente saggio.

...ho preferito far scaricare i condensatori solo di 1/3 è perchè.. [omissis]... probabilmente il plasma si disattiverebbe stando sotto una certa tensione, tu proponevi di usare gli scr per far scaricare COMPLETAMENTE i condensatori, dici che con questa impostazione abbiamo comunque un plasma che si mantiene fino alla completa scarica?...

Qua la mia ignoranza è pressochè totale. Posso solo appoggiarvi quando vedo questioni elettroniche (diciamo "di potenza") che non reputo molto corrette.. e circa le quali posso magari fornire alternative/consigli.

Torniamo al pilotaggio.
Bisogna vedere bene come e cosa è un mos come ... comando.
Il gate(-source) possiamo considerarlo come un condensatore (è ben diverso: non ho scritto che "è"... ma che "possiamo..")
Se fosse equiparabile osserviamo ad esempio che caricandolo a corrente costante (non è detto che il pilota/driver si comporti così..) vediamo che la tensione ai capi sale a rampa ..e proporzionalmente.
Va da se che per arrivare caricarlo (=chiudere il mos) a 20V.. ci si mette esattamente il doppio che per arrivare a 10V (a 30.. 50.. amesso che per qualche motivo "tenga", ancor di più... ovviamente).. e lo stesso per scaricarlo(=interdire il mos). (NB tutto questo è scritto in zona servizi&utilità>manualistica>elettronica.. che più volte ho invitato [generico] a leggere)
Per non parlare dell'energia spesa per il pilotaggio (che il driver deve dare) che invece va con un quadrato (E=1/2 C*V*V).

La domanda che ho voluto più volte suggerire:
lato "uscita" mos (drain-source) cosa cambia tra 10 e 20 (o più) Volt di pilotaggio tra gate source????
Perchè se non siamo in zona attiva (parte piatta delle curve, in cui il mos "assomiglia" a un limitatore di corrente..) .. ma in saturazione ..e la RDSon scende di poco (esempio 5%) è chiaro che è una scelta (che io reputo) sbagliata e complica soltanto la vita (oltre che enormemente il pilotaggio e la sua flessibilità)...

Ok, quindi gli SCR li mettiamo da parte un attimo... Restiamo sui mosfet: perchè ho scelto di pilotarlo a 30 e non a 20? perchè in fase di simulazione del circuito, noto che se carico a 20 ho un picco massimo di conduzione del mosfet che è inferiore a quello che ottengo con 30 volt, in simulazione chiaramente non ho a disposizione una cella, quindi mi sono scaricato la capacità a massa, ora considerando che la cella potrebbe essere un cortocircuito o quasi, ho necesità di buttare dentro la massima corrente possibile, ora stando a 30 volt con un buon driver ho dei picchi di potenza altissimi, anche se il tempo di carica è leggermente superiore, fatte le prove al simulatore sono passato alLa pratica, e costato che anche in questo caso c'è una bella differenza! A prescindere da quale sia la tensione di gate, ho la seria necessità di far sforzare al massimo ogni singolo mosfet peR evitare di doverne mettere troppi, quindi ho optato per questa soluzione. Adesso ho realizzato un nuovo circuito che incorpora un driver con meno dispedioso del precedente, infatti se hai notato ho utilizzato una resistenza da 100ohm in serie al bd139, questa a 30 volt si mangia già di suo circa 10 watt ("circa" perchè devi togliere i tempi in cui non conduce), per cui se uso per ipotesi 100 coppie di mosfet avrei 1kW buttato... Questo circuito incorpora 6 mosfet e una capacità di 600uf, quindi rispetto a prima ho messo a dispoizione il triplo dell'energia, lo posto appena ho finito di testarlo, se hai voglia posta tu lo schema che utilizzaresti per pilotare la cella, purchè sia il meno incasinato possibile, non perchè non ci capisco, ma perchè non è la mia passione saldare componenti

..perchè in fase di simulazione del circuito,..

ahhh.. forse inizia a spiegarsi qualcosa... Occhio che i simulatori a volte hanno dentro un mos "generico" che va poi adattato con i parametri giusti.

Se stai usando gli IRF840... vediamo un attimo 2 cosine.
Pendo il primo dei pdf elencati in qualche mio messaggio fa.. e cioè quello della IR: http://www.datasheetcatalog.org/data...irf/irf840.pdf
Se andiamo a pag 3 in alto a sinistra abbiamo il grafico di fig. 1 "Typical Output Characteristic" [Caratteristiche tipiche d'uscita] (a 25°C.. quello della fig 2 è a 150°C)
Notiamo che la curva in basso si riferisce a una Vgs di 4,5V (occhio! Tipici.. la VgTh[soglia] spazia da 2 a 4V.. e di conseguenza possono spostarsi le curve.. diciamo che quelle sono relative a Vgsth= circa 3).. che abbandona subito il "fascio" di tutte le altre per correnti di drain poco oltre 1A (ovvero se tentiamo di far passare/forziamo più di quella corrente il mos [con 4,5V tipici di pilotaggio] tende ad aprirsi quasi come un limitatore di corrente [pompa di corrente] andando in zona attiva) le curve superiori si riferiscono alle Vgs come nel quadrettino in alto a sinistra del grafico.
Notiamo che per le ultime curve non c'è distinzione percepibile.. siamo nel "fascio" che ci sta dicendo che il mos è quasi una resistenza (infatti il fascio sale quasi come una rampa).. ovvero dare 10... o 15V non cambia niente lato uscita (NB a riprova si può prendere il pdf della Philips (vedere qualche mio messaggio fa) che da [fig.6 pag 3 in basso] un grafico della RDSon in funzione della corrente ID e della VGS: si vede che oltre i 7V gate-source.. non diminuisce più ulteriormente in modo apprezzabile)

Andiamo ora alla fig. 6 in alto a destra di pag 4.. "Typical Gate Charge Versus Gate-toSource Voltage" [Carica di Gate tipica in funzione della tensione gate-source].. formata da una rampa che sale ..poi diventa quasi piatta.. e poi riprende a salire.
La prima rampa ..fino a quasi 5-6V e poco meno di 7,5 nanoCoulomb è la zona d'interdizione (NB la soglia tipica è da 2 a 4.. ma quella curva si riferisce a ID=8A.. come ci dice il riquadro in alto a sinistra del grafico).. poi inizia la zona circa piatta: è la fase di transito in zona attiva... è piatta principalmente per via dell'effetto Miller (più noi cerchiamo di far salire il gate.. caricando la capacità gate-source.. più il drain "viene giù" verso il source.. e quindi la capacità gate-drain ci riporta questo delta V in gate, frenandoci nei nostri intenti)
Il punto dove la rampa riprende a salire è dove il mos è completamente chiuso (il drain non si muove più) ...la salita è lievemente diversa perchè la capacità gate-drain si trova in parallelo alla gate-source, inoltre sono un poco variate.. visto le variazioni elettriche li intorno (facciamola breve)..
Abbiamo qui un po più di tensione di prima (ma proprio poco.. a riprova che il gm è alto) .. e un totale di circa 30nC. Si vede che ci sono varie curve in funzione della tensione (più è alta la VDS più ci mette il C gate-drain a .."venir giù"!) .. ma siamo sempre li..
Diciamo che per sicurezza possiamo arrivare a 40-45nC oltre non serve andare (è del tutto inutile ai fini "uscita").. e quindi vediamo che la tensione corrispondente è 9-10V. NB questo ci conferma anche le curve del grafico di fig 1...
Possiamo salire eventualmente a 12-15V se consideriamo una Vgsth al max (4V)...escursioni termiche.. gm al min.. ecc. Ma stiamo già andando per il sottile.

Chiaramente cambiando mos le cose cambiano.. ma i ragionamenti si possono riapplicare pari pari.
Che corrente deve dare il pilota/driver? Beh.. una volta visti i nC è abbastanza semplice.. infatti quel numero lega corrente (del pilota) e tempi.. di commutazione!
Sapendo che Q=i * t...... assumendo 10V di pilotaggio (partendo a 0), quindi 45nC dal grafico.. per esempio con 1A avremo.. 45nS teorici...per chiudere il mos! (E altrettanto per aprirlo se le cose non cambiano)
[NB non ho preso in considerazione induttanze di source, ecc.]
Un bel pilota TC4420 (o 29 se bisogna negare) è più che sufficiente, accoppiato all'immancabile zener gate source di protezione, qualche ohm serie, un buon C ceramico sull'alimentazione del pilota stesso, un buon layout (ma garantisco che se si va oltre 16.. 18Vmax Il 4420 si schianta al 120%)

..Vi ho... svelato.. un arcano... che non molti svelano (o forse... sanno).. non mi riferisco al forum.. ma un po più in la.. sul terzo in orbita intorno alla stella

Grazie gatt, sei stato chiarissimo, anche se già ero al corrente in parte di tutto ciò, ma evidentemente ho tralasciato alcuni particolari, che però poi a livello pratico non coincidono con le reraltà teoriche, ma che ce ne frega.... ho ordinato i sample in microchip, appena mi arrivano faccio su il prototipino e iniziamo a fare qualche test, però con soli 5 mosfet(i sample dei tc4220 sono 5). Adesso già che ci sei, hai qualche sigla di mosfet che sia in grado di sopportare picchi di corrente più elevata? purtroppo a quella tensione dove mi servo io al massimo mi danno 10 ampere(irf840 appunto).

Cercando di esser breve..

..i pilota possono sopportare diversi mos in parallelo.
Quel che succede è che la loro... capacità .. di pilotaggio è divisa tra i vari. conseguentemente scende la corrente "utile" e si allungano i tempi (ma potrebbero essere ok ... e direi così anche per la tua applicazione)

Il grosso problema sta nel parallelare i mosfets.. è l'ennesima volta che lo scrivo/dico (non mi riferisco al forum)... quasi mai letto/sentito per quel che dovrebbe (non a caso il mio 2ndo nick è Cassandra.. e credo che tu ne comprendi il motivo).
È una di quelle cose dove purtroppo bisogna sbattere la testa ..più e più volte.. fino a far "entrare" il concetto.. comunque (per quel che vale):

Layout) I mosfet devono essere collegati con collegamenti simmetrici (il più possibile), soprattutto per quanto riguarda il path["percorso"] di gate e source (il drain è solo, ripeto solo, un po' meno critico). Se per esempio ci sono 3 mos in fila.. il pilota andrebbe messo in posizione mediana.. inoltre il mos mediano dovrebbe essere avanzato per far assumere ai collegamenti di gate la stessa forma ..ma non troppo da incasinare quelli di source e gli eventuali accoppiamenti meccanici sul dissipatore (già qua si evince che è impresa ardua)

Pilotaggio) occorre disaccoppiare i gate (anche tra loro) con una resistenza serie pilota-mos e per ogni gate.. che non può essere tanto piccola (dove per piccola intendo ohm), in genere va aumentata tanto più il resto è asimmetrico.

Prestazioni) anche così le prestazioni totali (corrente) non sono la somma dei singoli mos.. Bisogna scalare tanto più oggetti sono in parallelo, tanto più velocemente si commuta, ecc.

Tanto per capirci se si adottano quelle tecniche non importa se metti un IR insieme a un Motorola, ecc. (stessa sigla!)... ma se non lo fai bastano due IR di lotti differenti e quando sali poco oltre le prestazioni (corrente) di uno di loro (dove il parallelo ..diciamo.. inizia a "lavorare"..).. booom!
(Per quel che può servire...)


PS Non sto sancendo che è falso quel che si dice circa la facilità di parallelo (uso on/off) dei mosfets!
Sto dicendo/scrivendo che un conto è far accendere e spegnere... con calma.. un LED... un altro conto è commutare esempio 100A a 100V in 30 nanosecondi [ 0,000.03 secondi].. cosa che, da quel che dici/scrivi nei tuoi messaggi circa la conoscenza/esperienza, dovresti pienamente concordare!

gatt, concordo pienamente con quel che dici, ma dimentichi sempre che tra teoria e pratica c'è una bella differenza, non ha caso ti avevo invitato a fare una prova....

Quando si tratta di fare un esperimento veloce tutte queste accortezze possiamo anche limitarle, mentre quando si realizza qualcosa di commerciale allora bisogna prendere in consierazione tutto, quantomeno per fare il modo che il prodotto non duri meno di 2 anni(la garanzia...).

Nella pratica possiamo anche fare a meno della resistenza di gate su più mosfet in parallelo, ma comunque l'avrei messa, non basarti troppo su quello schema veloce che ho postato, infatti trattasi di concetto più che di utilità capisci? ovviamente quello schema era una base dalla quale partire per poi apportare tutte le necessarie modifiche, ma pur essendo cosi semplice e non "calibrato" ti permette di capire cosa accade in quella cella quando dai un impulso di una certa potenza (e credo che ad oggi qualcuno avrà sperimentato, e sarà daccordo con me quando dico che regge e non si brucia niente se lo usi per 5 minuti).

So bene che quei driver possono pilotare più mosfet in parallelo, però siccome voglio il MASSIMO da ogni mosfet, li userò singolarmente, per ogni mosfet il suo driver, anche perchè nel caso dovessi utilizzare mosfet che neccesitano di più corrente in gate non ho bisogno di modificare il circuito.

Ad ogni modo i sample da microchip sono già partiti, credo in 4-5 giorni di riceverli(solitamente è cosi), appena mi arrivno inizierò a buttare giù un circuito, lo proverò e poi posto lo schema, schema che chiaramente avrà bisogno di migliorie....

Piuttosto, ti avevo chiesto se conosci delle sigle di mosfet di potenza meglio di irf840, hai qualche sigla?

...dimentichi sempre che tra teoria e pratica c'è una bella differenza..

Possono bastare circa un terzo di secolo (secolo->100 anni terrestri) di cui oltre un quarto passato in R&D et simila?

..non ha caso ti avevo invitato a fare una prova....

No, non ho assolutamente tempo per far io le Vs prove! Non seguo questo argomento "praticamente" (Fusione fredda & C.). Sono qui per dare una mano.. aiutare.. insomma far un po' di consulenza.. su elettronica "di potenza".. diverso da sviluppare tutti i discorsi e il tutto (mi mancherebbero poi parecchie conoscenze specifiche sull'argomento.. che Voi invece possedete)

Nella pratica possiamo anche fare a meno della resistenza di gate su più mosfet in parallelo,

Avevo già scritto/premesso che quel che io scrivo/dico e quasi mai letto/sentito per quel che dovrebbe.. e che sarebbe stato vano ripeterlo nel mio messaggio [...comunque (per quel che vale).. ]
Quanto scrivi non fa che confermare la regola!

Piuttosto, ti avevo chiesto se conosci delle sigle di mosfet di potenza meglio di irf840, hai qualche sigla?

Non avevo risposto perchè lo ritenevo superfluo/ovvio.
Da quel che scrivi/dici dovresti conoscere almeno i principali fabbricanti/fornitori, i loro siti e i semplici sistemi di ricerca paramentrica al loro interno.
Quindi dovresti sapere che se ne trovano parecchi a correnti ben più alte e resistenza ben più bassa (da svariate decine di modelli per fattori intorno a x2... x3.. fino a qualche esemplare per quanto riguarda valori di "un ordine di grandezza")..

..o no?

Cerchiamo di fare chiarezza per chi ci legge..
..perchè da una parte con quel che dici/scrivi sembra che vuoi sottolineare una discreta conoscenza e/o esperienza su questi componenti, dall'altra alcune piccole difficoltà sul reperire fornitori, sigle, ecc. sembrano far nascere dubbi su quanto sopra.

Conseguentemente chi legge può prendere ogni tua indicazione/suggerimento come "oro colato", cosa che potrebbe anche essere corretta (sebbene io consiglio di non farlo mai, ma di valutare sempre anche con la propria testa... compreso quel che scrive il sottoscritto!) nel caso la prima supposizione fosse reale.. ma nel caso lo fosse la seconda sarebbe invece da seguire con più cautela, considerato il fatto che (mi sembra di capire) si opera qui con tensioni pericolose, ben maggiori di 50Vdc
(sono obbligato a scriverlo).

Gatt, io lavoro 10 ore al giorno, il tempo che ho per fare queste ricerche di componenti e prove varie è veramente poco, se ti chiedo di darmi qualche sigla è solo per questo, abbi pazienza... e sopratutto come puoi notare, prima di mettermi a pubblicare uno schema lo testo, onde evitare spiacevoli sorprese a chi vuole provarlo!

Non ho mai utilizzato mosfet di potenza superiore agli irf840 in alta tensione, se non gli stp9nb60(non ne ho mai avuto necessità), non sono un esperto ne di elettronica ne di fisica o chimica, mi diletto come molti altri a sperimentare, ho discrete conoscenze un pò in tutti i campi per via di studi passati e attuali (attuali però molto limitati), non ho il tempo di studiare e ne la mente libera per farlo, ci provo, ma oggi non è facile assimilare certi concetti, un pò per via del mio lavoro che mi porta via molte risorse mentali e un pò perchè gli anni sono passati.....

Detto questo, ogni mia domanda o affermazione non deve MAI eserre scambiata per PRESUNZIONE, non ho alcun motivo di dover dimostrare niente a nessuno, sono solo appassionato da certe cose e mi piacerebbe ogni tanto poter dire "ci sono riuscito", capisco che purtroppo servono conoscenze fisiche chimiche ed elettroniche non indifferenti per raggiungere certi risultati, come so bene che in questo forum ci potrebbe essere qualcuno che mi potrebbe dire: lascia perdere, stai solo perdendo tempo perchè con questo esperimento non potrai mai ottenere nulla per queste ragioni.... ecco, ma siccome nessuno si pronuncia in tal senso, vado avanti e comunque ti ringrazio per l'aiuto che mi stai dando, e credimi, lo tengo molto in considerazione, ogni tuo calcolo e riga scritta! ma ovviamente, se poi nel lato pratico noto che certi particolari posso tralasciarli li tralascio, il tempo come ti dicevo è quello che è...

..lavoro che mi porta via molte risorse mentali e un pò perchè gli anni sono passati.....

ehhh a chi lo dici.. sfondi una porta aperta...

Comunque butta giù 2 dati di RDSonmax di IDmin e VDSbreakdown.. quando trovo pure io un po' di tempo qualche sigla la posto..

Ma guarda gatt, è indifferente, possiamo adattare qualunque mosfet, purchè abbia i tempi di commutazione più corti possibile e la maggior corrente possibile, la tensione di lavoro intorno a 500 volt, iniziamo a fare delle prove con questa tensione, poi al limite in altre prove potremo elevarla riducendo la corrente, inutile stare su tempi di commutazione superiori a quelli del 840 perchè quello che ci interessa è fornire la maggior energia possibile nel più breve istante possibile.

Ei gatt che fine hai fatto? allora hai una dritta sui mosfet? qui non mi hanno consegnato i campioni, mi sa che i driver è meglio che me li faccio da me....