Discussione: Chi sta testando il Parallel Path?

Heem... finali? Che finali?
Mi sono perso qualcosa? Io avevo intenzione di attaccare il mosfet direttamente alla bobina... sto per fare una boiata?
Una idea dell'ultimo momento:
Ho intenzione di tramutare questo accrocchio che sto costruendo in uno scanner.
Con questo tipo di device sarà possibile provare frequenze e duty in modo veloce, basterà far funzionare il pic anche come multimetro e leggere che impedenza si trova ai capi del mosfet.
In questo modo il pic proverà tutte le frequenze possibili e magari una volta finito torna alla frequenza migliore che ha trovato.
Altre idee carine sarebbero di dotarlo di una eeprom per salvare le frequenze migliori e un menù interattivo per selezionare la modalità di funzionamento.
Mah... in effetti sto improvvisando un pò... sarebbe meglio se mi mettessi a progettare seriamente... però quando sono ispirato generalmente vado avanti così e vado bene... speriamo che anche sta volta sarà così.

Saluti
j3n4

Ciao a tutti,
una domanda per framoro:
A pagina 4 mi sembra che tu abbia detto che hai un assorbimento di 400mA con il tuo pp.
A questo punto mi piacerebbe sapere quante spire hai usato e con che spessore.
Inoltre mi tornerebbe comodo sapere anche quanta resistenza interna misuri ai capi del tuo pp.

Sono info che ritengo essenziali per dimensionare meglio il prossimo pp che sto costruendo.

Da quanto emerge da tutto il discorso è essenziale ottenere il minimo assorbimento possibile dalle bobine di pilotaggio e praticare un airgap adeguato in modo che la bobina di recupero nel momento in cui si trova sotto carico anche se andrà a sfogare il campo inverso verso il pp non sia sufficiente a sbilanciarlo.
Fatto in questo modo si dovrebbe poter misurare un eccesso energetico ai capi della bobina di recupero... voi che ne dite? è un ragionamento corretto?
Del resto se l'airgap fosse insufficiente, otterremmo che un campo inverso sulla bobina di recupero riporterebbe il campo magnetico nella condizione iniziale... e in questo caso si verificherebbe lo stesso tipo di attrito che abbiamo nei comuni alternatori... ummm... spero che per questa sera avrò misure da potervi esporre.

Saluti
j3n4

CITAZIONE (j3n4 @ 27/8/2007, 09:24)

Heem... finali? Che finali?
Mi sono perso qualcosa? Io avevo intenzione di attaccare il mosfet direttamente alla bobina... sto per fare una boiata?

Forse mi sono espresso male io, per finali intendo i Mospower, quando descrivo un circuito, delle volte parlo, o meglio scrivo, con uno schema mentale a "blocchi", quindi invece di scrivere "mospower IRF..." scrivo semplicemente "Finali".

La tua soluzione di saldarli direttamente sulle bobine, mi lascia qualche dubbio, quando dovrai sostituire le bobine per le prove, dovrai sempre dissaldare anche i "finali" e risaldarli su di un'altra, credo che la soluzione migliore sia quella di tenerli sul C.S.

Per quanto riguarda lo scanner che dicevi, mi sembra una buona soluzione, un pò come il sistema "auto-tuning" dei TVC, ricercano la frequenza di un programma e poi la centrano sul segnale più forte.

Ti allego l'immagine di quello che stò realizzando, non è ancora ultimato, mancano svariati componenti, credo di riuscire a finirlo per questa sera.

ora torno al lavoro, a presto.



Quarda in alto sull SX della foto, si vede come ho sistemato i Finali ed il sistema di rapida sostituzione che ho adottato.

Bye. emc2

Ho usato del filo smaltato da .35 circa * 10 metri(poi diviso per due,avvolg..tesla)Ho avvolto due fili vicini lunghi 5m circa....mi sembra che la resistenza sia circa 1 ohm.Questo per tutti due i listelli.....poi collegati in serie tra loro....

Grazie a Framoro ed Emc2 per le informazioni.

X emc2:
aaah parlavi di una morsettiera per staccare e attaccare le bobine!!
Ma si certamente! Grazie per la dritta comunque era una scelta obbligata visto che devo provarlo con almeno 3 pp diversi fra loro.

X framoro:
Trovo che sia impossibile che assorba SOLO gli ampere che dici... il mio pp ha 8ohm di impedenza e se gli do 10A si consuma 10A.
Come è possibile che un carico da 1ohm non venga visto quasi come un corto circuito?
Penso che se attacchi quelle bobine a una batteria tipo quelle del motorino o dell'automobile minimo ti prendono fuoco tutto.

Cmq questa sera faccio qualche misura, spero di aver qualche buona notizia per tutti.

Saluti
j3n4

CITAZIONE (Framoro @ 27/8/2007, 15:21)

Ho usato del filo smaltato da .35 circa * 10 metri(poi diviso per due,avvolg..tesla)Ho avvolto due fili vicini lunghi 5m circa....mi sembra che la resistenza sia circa 1 ohm.Questo per tutti due i listelli.....poi collegati in serie tra loro....

Salve,

Framoro, mi sorge qualche dubbio, parli di un filo di diametro da 0,35 mm, lungo 10 metri, sei sicuro che la sua resistenza sia solo di 1 ohm ?
Per carità, non ho avuto la possibilità di misurare, sono al lavoro, ma mi sembra che 10 mt di filo di quella sezione debba misurare un pò di più che solo un ohm. Forse mi sbaglio, controlla bene, grazie.

Per j3n4, mi riferivo al fatto di tenere i finali sul circuito stampato, magari fissandoli con una morsettiera per poterli sostituire con velocità in caso di bisogno, per il collegamento delle bobine, utilizzerò delle boccole rosso/nero da pannello dove inserirò dei spinotti chiamati "banane", dato che monterò tutto il circuito all'interno di un contenitore metallico in modo da schermare il tutto ed evitare eventuali rientri o inneschi a frequenze alte.

Bye.

emc2

per j3n4
alimento il tutto con 1,2 volt,fate voi i conti......due bobine in serie da 1 ohm danno 2 ohm,mi sembra normale l'assorbimento di 400mA......

Comunque il mio PP per ora funzione come un normale trasformatore .....

Forse un amico mi rimedia un traformatore da 400 500W da smontare ......
Poi mi devo comprare nuovi magneti...i mie nn bastano.....
Pensavo....... il prototipo di Hypercom era formato da un listello a E(tagliato quindi a C) e un listello a I,con solo due air gap,credo.Poi per fruttare al meglio le caratteristiche delle bobine di tesla,secondo me, va usato la piattina di rame.Due piattine parallele,isolate fra loro con una striscia di carta(isolante)...Per ora ho trovato del nastro di alluminio largo 4cm spesso ".2 penso"lungo 9 metri........

CITAZIONE (Framoro @ 27/8/2007, 20:14)

per j3n4
alimento il tutto con 1,2 volt,fate voi i conti......due bobine in serie da 1 ohm danno 2 ohm,mi sembra normale l'assorbimento di 400mA......

Buona sera, a tutti

Framoro, se non vado errato, se hai una resistenza di 2 ohm con una tensione in continua di 1,2 volt, la corrente che circola sulla bobina dovrebbe essere di 600 mA e non 400, per questo ti avevo chiesto se avevi misurato bene il valore resistivo. Se il valore della corrente circolante è giusto, perchè è stato da tè misurato, allora vuol dire che è errato il valore della differenza di potenziale che vi era sulla bobina e questo potrebbe essere dato che hai usato una batteria e ti sei fidato del valore letto a vuoto su di essa, questa è solo una mia deduzione derivante dal fatto che non mi tornano i conti.

Comunque per quanto riguarda la piattina di rame, ho i miei dubbi, dovrebbe aumentare solo l'effetto capacitivo, data la notevole superficie a contatto isolato che si creerebbe, tipo un condensatore elettrolitico, non sò se hai visto come è realizzato, se questa potrebbe essere una soluzione, allora basterebbe realizzare l'avvolgimento con del filo comune ed aggiungere un condensatore in parallelo.

Poi mi sembra di aver visto che il nucleo era realizzato con 2 "C" intersecate le une nelle altre, ma comunque quel prototipo lascia il tempo che trova, io ti consiglierei di andare per la tua strada e non di tentare di realizzare quel modello, ti faccio un esempio per farmi capire meglio:

io a scuola, se non sapevo fare il compito in classe, non copiavo mai quello del mio compagno di banco, perchè se era sbagliato, non solo sbagliavo anch'io, ma il professore si sarebbe accorto, notando lo stesso errore nel procedimento che uno dei due aveva copiato, se invece tentavo lo stesso di arrivare alla fine, potevo anche commettere degli errori, ma sarebbero stati i miei e avrei pagato le conseguenze per un mio errore e non per quello di un'altro, il risultato è stato che comunque io avevo una media di voti sempre più alta di altri, che invece avevano scopiazzato, proprio perchè il professore apprezzava l'impegno che vi avevo messo.

Ora se quel prototipo non funziona, avrai perso tempo e danaro, quando magari potresti aver avuto l'intuito giusto ma non lo hai seguito. . .
non aggiungo altro.

Adesso è arrivata l'ora della NINNA buona notte a tutti e, come al solito, BUONA RICERCA A TUTTI e che Tesla sia con NOI.


emc2

Con i comuni tester è difficile misurare valori bassi di resistenza(sotto i 2 ohm).......Forse è questo l'arcano.

Ciao Framoro,

pensavo che avevi usato uno strumento digitale più preciso, effettivamente con strumenti a bobina mobile è difficile avere una misura precisa,

comunque ho finito il circuito, sembra rispondere bene da una frequenza di 6,54 Hz, fino a 131,58 Khz.
Non ho ancora provato ad alimentare lo stadio finale applicando un carico resistivo, proverò questa sera, se tutto va bene incomincio ad assemblare i vari pezzi all'interno del mobiletto metallico e poi . . . . si passa alla realizzazione delle bobine.
Se non incontrerò ostacoli di natura "Lavorativa" cioè se non avrò lavoro arretrato da svolgere, per domenica mattina, forse ho la possibilità di accendere il mio primo Parallel Path.

Se ci riuscirò, Vi darò i primi risultati, sia che siano negativi che positivi, anche se per questi primi test, mi aspetto solo risultati negativi .

Ora torno al lavoro, a presto.


emc2

CITAZIONE

strumenti a bobina mobile

No no ho usato uno strumento digitale
Ma comunque per valori bassi ci vuole uno strumento specifico.Mi sembra che nuovaElettronica avesse presentato,a suo tempo, un circuito per misure di bassa resistenza,dell'ordine di 1 fino a 00,1ohm.

CITAZIONE (Framoro @ 26/8/2007, 07:52)

Buon Giorno!!!
Nelle mie piccole prove l'air gap(per ora)nn fa altro che farmi perdere rendimento,ho provato vari spessori.(e varie posizioni per i magneti"persinino tolti")Ma per ora il mio pp nn è altro che un trasformatore quindi nulla di nuovo.

Scusami se riprendo questo vecchio post, ma mi sorge una curiosità, come hai alimentato il tuo P.P.
con un segnale alternato, sicuramente, ma anche con duty-cycle ? e a che frequenza hai provato?



Grazie.

emc2

Edited by emc2 - 28/8/2007, 19:07

Prima l'ho provato con un accrocchio improvvisato (multivibratore realizzato con un relè che commutava l'alimentazione creando l'inversione di polarità + - )pochi hz 20 circa e funzionava male.......Poi ho adattato un circuito formato da un mofet e un 555,però solo con segnale positivo.Però in questo caso ho provato varie frequenza 20 hz fino 50 khz e oltre ......ma il risultato è stato sempre (trsformatore classico) e i magneti nn infuiscono sul sistema.....forse nel mio PP i magneti sono piccoli per il traferro.Devo provare a ridurrlo.
Ciao.

x emc2

..scusa mi sono perso alcuni passaggi..... cmque/brevemente:

CITAZIONE

Avevo testato solo a 20 Hz e sembrava funzionare, la forma d'onda era perfetta, ma quando ho ripreso il circuito, ieri sera e sono andato sù di frequenza. . . uno schifo !

Questo è un altro problema...
nello schema che ho visto mi sembra che usavi dei transistor per invertire il segnale da inviare a dei mos.... 1 transistor per ogni inversione... questo significa che è uno stadio molto simile ad un classe A, ovvero quando il transistor chiude... beh è lui a farlo e quindi "l'impedenza" da lui dipende, ovvero è molto bassa (principalmente dipende dal TR e dal pilotaggio, oltre che dai parametri di lavoro tipo F ecc.).... quando apre invece dipende (princip..) dalla resistenza in collettore.

Purtroppo i mosfet sono dispositivi comandati in tensione e non in corrente. Questo vuol dire che se ipoteticamente con il TR di pilotaggio pilotavi un TR bipolare (non mos!) di potenza, interdicendo il tr di pilotaggio sarebbe venuta meno la corrente di base del TR di potenza... e quindi, a parte discorsi tipo cariche minoritarie/maggioritare et affini, la R di collettore si sarebbe dovuta occupare di caricare/scaricare (secondo come la vedi) solo le piccole capacità in gioco tra C del TR pilota e B del TR finale, cmque molto piccole (pF).

Nel caso del mosfet non c'è corrente (facciamola semplice.. o proviamoci..) di GATE (ex base del TR bipolare..), quindi aprire/interdire il TR pilota non cambia nulla! Quel che serve è "spostare" la tensione in G da un valore ad un altro. Essendo il G con comportamento molto capacitivo (stavolta però anche di svariate migliaia di pF..) per far ciò significa dover far passare TRANSITORIAMENTE corrente , in un senso o nell'altro, per muoverlo di tensione.

Quindi per ricapitolare:
Se il TR di potenza è un BJT per tenerlo "pilotato/chiuso" bisogna dare (o prendere secondo come lo vedi /PNP-NPN...) corrente IN CONTINUAZIONE; viceversa per interdirlo basta smettere di fare ciò.
Se il TR di pot è un MOSFET bisogna dare SOLO TRANSITORIAMENTE corrente (o prendere .. vedi su..) per SPOSTARE il valore di tensione sul G (circa un Cond.)... il problema è che bisogna fare lo stesso ANCHE per interdirlo! (Con "polarità" opposta: se si dava corrente transitoria, si preleva corrente transitoria e viceversa...)
Quindi un pilotaggio che "tira" bene solo in un senso (pochi ohm o addirittura milliohm quando il TR pilota è ON e 100k [o quello che metti in collettore] quando il TR diventa OFF) e "tira" male nell'altro provoca un pilotaggio veloce (muovi velocemente il G) in una fase (in quel circuito l'ON dei mosfets P) e lentissimo nell'altro (in quel.. l'OFF del mosfet P)

DAL MOMENTO CHE I TR PILOTAVANO DEI MOS P piuttosto "duri", con quel circuito ottieni ON veloci (centinaia di nanosecondi) e OFF molto lenti (centinaia di microsecondi.. o addirittura svariati millisecondi!!).
Cioè significa che con basse frequenze hai ancora un segnale accettabile, ma salendo rischi di arrivare per primo a zone dove alla conduzione non si alterna più una interdizione ma un fase intermedia (mos in zona attiva) e, salendo ulteriormente, a situazioni dove il/i mos P è/sono PERENNEMENTE ON (con ovvie conseguenze quando attivi il mos N di sotto...)

indicativamente serve uno stadio pilota tipo totem-pole (o giù di li) ovvero con almeno 2 TR che "tirano" nei due sensi...
(to be continued...)

Edited by gattmes - 29/8/2007, 15:05

Effettivamente cio' che dice gattmess ... non farebbe che bene piazzare un pnp assieme al bsx per ottenere un totempole di pilotaggio dei gate. Comunque le frequenze in gioco sono ancora relativamente basse,

CITAZIONE (emc2 @ 21/8/2007, 14:50)

CITAZIONE (Framoro @ 21/8/2007, 10:02)

emc2 quando puoi,posta anche il finale per tali frequenze........
Ciao

Se risponde bene, proverò anche a frequenze più alte, potrebbe sostituire definitivamente l'altro stadio finale. Vedrò...
Per quanto riguarda il costo dei componenti ... la ricerca ha i suoi costi



Buona giornata a tutti.

emc2

Edited by Elektron - 29/8/2007, 11:09

Tanto per non darmi per disperso vi comunico che ho quasi finito il circuito di pilotaggio.
Questo pomeriggio aggiungo due transistor perchè a quanto pare il povero pic non riesce a pilotarlo decentemente e probabilmente dovrò aggiungere anche un sistema di protezione del mos usando una resistenza e un condensatore... ancora non so bene se funzionerà dovrò provarlo prima a pezzi e poi montare tutto.
Spero che se non saltano fuori altri imprevisti per questa sera dovrei aver finito tutto.

Saluti
j3n4

Vediamo qlcosa in + sul pilotaggio..
con riferimento allo schema prec. si nota l'uso di un 2110 dopo lo SG.
Ora questo è già un driver, quindi dovrebbe essere l'ultimo "oggetto" (attivo) prima del Gate del mos.
2ndo me non ha senso interporre uno stadio.. quantomeno fatto con "open collector" e quindi molto + scadente del driver stesso... non ha nemmeno tanto senso l'uso di totem-pole a transistor (bipolari) in quanto 2110 è + performante, visto che usa un simil-totempole a mosfet per via...
vedere schema a blocchi:

il "catalogo" completo (data sheet) è disponibile a questo indirizzo:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir2110.pdf
..secondo il contenitore la piedinatura "saliente" è circa la seguente:
HIN 10 - HO 7
LIN 12 - LO 1
Intanto notiamo che la parte H->"High" presenta la caratteristica di pilotare un mos N "high side", ovvero usato al posto dei P del circuito precedente (vedere catalogo x dettagli). Quindi è possibile usare 4 mos N x il ponte ad acca (gli N sono + robusti + performanti + veloci - capacitivi - costosi dei P, oltre che in una + varia scelta...), oppure si può continuare con la soluzione precedente.
Comunque sia consiglierei di evitare l'uso dei TR pilota (o almeno x quanto riguarda la configurazione della soluzione a 1 transistor, vedi schema prec.) IN USCITA (casomai in ingresso) e passare in ogni caso all'uso di 2110 come driver.

In ogni caso quindi occorre duplicare il 2110.
A seconda poi dei mos usati (2P2N o 4xN) bisognerà "negare" (invertire di logica) alcuni "IN" del 2110 o meno... In tal caso è possibile usare una confi a TR simile alla precedente PRIMA del 2110 (essendo a + "basso livello" anche l'impedenza di 100k viene "bufferizzata" dal driver, quindi vista dal mos come molto meno...) anche se consiglio l'uso di una logica (anche CMOS tipo 4049 4069 ecc.).

Tener presente che la sezione "uscita" del 2110 (leggi tensione lavoro mosfet ponte ad acca), vedi catalogo, può lavorare a tensioni ben diverse da qulla d'ingresso/SG (tipo anche centinaia di volt!) quindi potrebbe aiutare a risolvere il problema del ritardo (x via dell'oscillo..) SENZA sfondare i gate dei mos..

Edited by gattmes - 29/8/2007, 14:49

Ciao Gattmes, avevo provato con 4 Mos canale N, ma non sono riuscito a configurarli bene, quello avente il carico sul D, reagiva bene, ma quello con il carico sull'S scaldava, quindi ho optato per una coppia N/P.
Se hai uno schema valido, su come realizzare lo stadio finale con 4 Mos canale N, sarei curioso di vederlo.

Comunque ho modificato il circuito ed ora sembra funzionere bene, nonho ancora testato lo stadio finale sotto carico, mi è mancato il tempo, proverò domani che ho il pomeriggio libero dal lavoro, comunque il nuovo circuito è questo:






Come si vede, ho spostato i BSX prima dell'ic IR, ho anche utilizzato 4 IR, dato che avevo notato, che le uscite 1 e 7 non erano perfettamente uguali.

Gattmes, cosa ne pensi ?. Ammetto che ho svariate lacune per quanto riguarda i Mospower, se hai una soluzione per utilizzare 4 Mos N, ti sarei grato, sono ancora in tempo per modificare.


emc2

Edited by emc2 - 29/8/2007, 15:38

Ciao
..suppongo si usa ciò che ci è intorno... infatti non dovendo usare la funzione High side è possibile optare per driver doppi "normali" (che non presentano le piccole differenze dovute al sistema di "pompaggio" HS, vedi schema blocchi prec.).
Cmque (visto che non si devono produrre/commercializzare 100000 pezzi) 4 x 2110 sono ok. Lo schema comincia a piacermi un po di + anche se qlcosa mi sfugge circa

CITAZIONE

ho anche utilizzato 4 IR, dato che avevo notato, che le uscite 1 e 7 non erano perfettamente uguali.

.... se non hai problemi con i TR così usati come inverter non dovresti avere problemi con le piccole dif tra H e L.. mahhh... lasciamo perdere...

Al momento vediamo la soluz. attuale (x i 4 mos N poi..)

mmhhh.. vediamo un pò..
Da ricordare: c'è ancora il problema sui mos P (ritardo) che potrebbero sfondarsi visto che il driver è alimentato da una parte e loro (il loro S) da un'altra (lo vediamo dopo)..

Noto l'uso delle reti R-Diodo tra driver e Gates. Intanto l'uso di una R non fa mai male (permette anche ritocchi e protegge - anche il drv- da fenomeni strani che si possono instaurare a causa di particolari situaz. ... vedi Sig. Miller... che tralascio).

Di norma il diodo serve a bypassarre la R in una delle due fasi di pilotaggio/spilotaggio.Vediamo l'uso sui mos N (sotto nel ponte acca). Di norma si pilota (VGs sale, la corrente esce dal drv, attraversa la R -diodo in inversa- ed "entra" nel G ) con la R, quindi un po + lenti, e si spilota via D (Vgs scende, la corrente esce da G, attraversa il diodo - in diretta- ed entra nel Drv). Bene.

Vediamo per i P..... Ops! Vgs per i P è negativa, quindi se l'uso R-D serve per ..vedi su.. allora i diodi devono essere girati! (quando piloti i P SCENDI, quindi usi la R; quando li spiloti SALI=corrente uscente dal drv quindi devi passare dal diodo)

Cmque noto delle R di .... niente ohm... ora non so che diodo usi ma dubito che cambi molto (cmque una variazione c'è. lascia pure così a patto di girare quelli sui P, solo che tieni presente che i diodi non sono ideali e le correntixfrequenze elevate... non usare diodi "seppia" [ne shottkly] ne "grissino".
Una nota: 2110 è dato come 2.5A source-sink tipici a 15V; questo significa che non è molto distante da 5-6 ohm (che vedi in serie alla R di uscita.... e basta se "freddi" bene con C ceramico tra + e - di alimentaz. del 2110... vicevresa vedi ben altro... e come "impedenza" più che resistenza, quindi mi raccomando il "layout")


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messaggio successivo
mhhhh IRFP250 -> 200V... domanda: quale è la Vmax in drain????

Edited by gattmes - 29/8/2007, 16:27

Salve a tutti, ho appena finito di montare il mio circuito oscillatore per pilotare il parallel path. Ho usato molto più semplicemente un NE555 regolando la frequenza con un trimmer, inoltre così facendo posso anche sapere la frequenza che utilizzo facendo questo piccolo calcolo (che in realtà faccio fare a un programmino per velocità)

f = 1 / (.693 * C *(R1 + 2 * R2))

Come range di frequenza posso andare da 10Hz fino a 1200Hz.
Per lo stadio finale uso un transistor di potenza 2N3055, che sopporta fino a 10A e 60V, se non ricordo male...
Cmq il cirucuito funziona alla grande e riesco a pilotare le bobine senza problemi, forse dovrò solo aggiungere, come suggerito da j3n4, un condensatore, una resistenza e un diodo per proteggere il transistor dalle extra-tensioni che produce la bobina.

Allego qui una foto dello schema (davvero semplice) e una foto del circuito che ho realizzato.

Saluti kekko

Attached Image

CITAZIONE (emc2 @ 29/8/2007, 15:22)

Ciao Gattmes, avevo provato con 4 Mos canale N, ma non sono riuscito a configurarli bene, quello avente il carico sul D, reagiva bene, ma quello con il carico sull'S scaldava, quindi ho optato per una coppia N/P.
Se hai uno schema valido, su come realizzare lo stadio finale con 4 Mos canale N, sarei curioso di vederlo.

Comunque ho modificato il circuito ed ora sembra funzionere bene, nonho ancora testato lo stadio finale sotto carico, mi è mancato il tempo, proverò domani che ho il pomeriggio libero dal lavoro, comunque il nuovo circuito è questo:






Come si vede, ho spostato i BSX prima dell'ic IR, ho anche utilizzato 4 IR, dato che avevo notato, che le uscite 1 e 7 non erano perfettamente uguali.

Gattmes, cosa ne pensi ?. Ammetto che ho svariate lacune per quanto riguarda i Mospower, se hai una soluzione per utilizzare 4 Mos N, ti sarei grato, sono ancora in tempo per modificare.


emc2

Scusa ma mi sfugge il motivo della doppia inversione, se usi i 4 IR non servono i BSX invertenti ... il 3525 ha gia' le due uscite ????

CITAZIONE (Elektron @ 29/8/2007, 19:58)

Scusa ma mi sfugge il motivo della doppia inversione, se usi i 4 IR non servono i BSX invertenti ... il 3525 ha gia' le due uscite ????

Ciao Elektron, se ti riferisci ai piedini 11 & 14, può funzionare, incrociandoli, solo se hai bisogno di un'onda quadra speculare, ma io ho la necessità di non alterare il Duty-Cycle (poterlo variare per ogni prova) e con quel sistema avrei ottenuto da una parte una semionda di un valore e dall'altra un periodo più lungo o più corto.
Comunque il primo stadio, grazie anche al IC IR, mantiene una quadra lineare da 6,54 Hz fino a 131,58 Khz, oltre non ho provato dato che questo mi basta e avanza, non credo che serva comunque una frequenza più alta per i test sul P.P.




Comunque, domani provo anche lo stadio finale, chiaramente dopo aver corretto l'errore segnalato da Gattmes, dovuto al fatto che quando disegno uno schema, prelevo i componenti, con il copia-incolla da altri vecchi schemi e questa volta mi sono dimenticato di usare la funzione capovolgi-ruota, il brutto è che dopo aver disegnato lo schema, ho iniziato la realizzazione, seguendolo scrupolosamente, senza pensare a cosa stavo facendo

va bè. . . errare umanum est (non ho studiato il latino) speriamo che non persevero.

bye. emc2

Io addotterei un predriver sulla specie di quello sotto:



Descizione:
Ho usato un 4093, che contiene 4 NAND Schmitt Trigger.

1) Circuito ritardo (se serve)
Lo ScTr mi viene bene x fare il circuito di ritardo (IC1D) che funziona circa così:
Quando si da alimentazione C1 è scarico, quindi sull'ingresso del NAND si da un 1.
L'altro ing. è a Vcc secco quindi sempre a 1; allora 1x1 =1 ..complementato = 0 in uscita (vediamo poi cosa fa..)
C1 poi inizia a caricarsi tramite il Trimmer e la R R1-R2 (si può ovv. usare solo una R , se si sanno i tempi), quindi un ingresso del NAND scende.
Giunto alla tensione di soglia il NAND commuta l'uscita da 0 a 1 (0x1=0 complementato 1) e così rimane finchè non si toglie l'alimentazione (che alimenta tutta la "roba".. SG, mos, ecc. MAXMAXMAX 18Vcc x il Cmos [eccetto nuove versioni a 20V]). In tal caso il diodo scarica velocemente (+ o -) il C e tutto ritorna all'inizio.
Eventualmente è possibile fare CC sul cond x "reset" manuale.
La R verso il nand serve e non serve (mutanda protrettrice) .. qualche centinaio di ohm sono ok (non esagerare...)

2) I Nands IC1A e B servono per invertire (al posto dei transistor bcxpincopallino)
Se l'uscita del circ. rit. è 1 allora si comportano come dei not (ovvero se l'uscita SG relativa è 1 abbiamo 1x1=1 complementato 0, viceversa se è 0 abbiamo 1x0=0 complementato 1).
Invece quando l'uscita del circ. rit. è 0 si bloccano con uscita a 1 fisso (0x1 o 0x0 fa sempre 0 che complementato da 1).
Ciò accade all'accensione e per il tempo di rirado impostato su IC1D.
Dal momento che queste uscite (A invertito, B invertito) pilotano i driver dei mos P questi presentano uscita alta secca x tutto il tempo di ritardo, quindi niente pilotaggio x i mos.

3) Vediamo x i mos N.
Qua sfrutto il piedino SD dei driver relativi (x i drv dei P lascire SD collegato a gnd) e lo stesso circuito di ritardo, solo she SD va posto a 1 per avere l'uscita dei driver a 0 secco, di conseguenza ho usato l'ultimo NAND (IC1C) come semplice inverter (NOT) dell'uscita del circ . rit.
A tal fine o si collegano insieme i 2 ing. del NAND oppure se ne usa 1 e l'altro si collega a Vcc secco (1 fisso).

Ricordo che con questa logica non serve più separare l'alimentazione dei mos da quella del circuito.
Non ho indicato il solito C ceramico tra + e - degli integrati e nelle immediate vicinanze.

mhhh ..cosa rimane..
ahhh ... consiglio l'uso dei soliti zener tra G e S messi vicino ai mos.

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Ueeeeeeeeeeeeeeee non ho il 4093 ueeeee
uff che pelotas... usate un NAND normale e collegate l'uscita di quello usato come NOT (che va a SD dei drv x i mos N) con una resistenza all'ingresso del NAND del circ. rit (sull piedino e non lato condensatore)
Usate una R sui 10 x R che c'è sul piedino [quella serve non serve])
come ordine di grandezza devono essere ben + grandi (= trascurabili)della rete che carica il C

Ueee non ho il 4011
che
usate un 4032 4001 ecc ma va cambiata la logica/connessioni di conseguenza.. insomma deve fare quel lavoro li!

Ueee non uso 2110 non ho il piedino SD
pork&&&! Vado a prendere il bastone "di legno tenero" e arrivo......

Edited by gattmes - 30/8/2007, 11:44

FICOOO

emmm... e il duty cycle ? aspetta prima di rispondere, che mi metto al riparo dal bastone...


. . . . . . .

ehm quello voleva essere un circuitame da inserire tra le due uscite dello SG3525 (che ho chiamato A e B) e i quattro driver...
sostituisce solo i transistor inversori e il circuito di ritardo (trattando in sua vece i segnali di pilotaggio)...

A sinistra metti tutto il circuitame dello SG ..a destra tutto il resto (i 4 blocchetti sono i 2110) ..

ovviamente si potrebbe anche rimpiazzare lo SG con roba cmos .. ma visto che ce l'hai già...