QUOTE (remond @ 27/2/2006, 20:29)
Caro ElettroRik
Ti sei dimenticato di parlare della tua frase "Se fai gli stessi test con un reostato, troverai lo stesso comportamento di massima."
Questa mi da fastidio, Perché è una frase che direbbe Piero Angela se entrasse in questa discussione.
Azz.... tanto astio per sta frase! Gulp! Non ho parole...
Beh, ti spiego da dove deriva e cosa significa esattamente:
avevo avuto l'impressione che nel tuo test ci sia una forte influenza della componente resistiva della cella. Ora, per risponderti con precisione, ho simulato la cella stessa con un modello solo resistivo, ed infatti ho avuto ottime conferme. Se crei un modello costituito da una Ri intrinseca per ciascun elettrodo da 9 ohm e poi metti un reostato da 50 ohm tra C ed E con centrale in base,ottieni un modello che APPROSSIMA MOLTO bene le misure che tu hai rilevato. In particolare, sono verificate con buona approssimazione i test a vuoto, e non si discosta quasi dalle tue misure da quando la base è vicina all'emettitore a quando è circa al centro (misurando lo spostamento in ordine contrario a quello del del filmato).
Dove effettivamente inizia a discostarsi significativamente dal modello resistivo è quando la base si avvicina al collettore. In particolare, si dovrebbero avere c.a. 130mA nel modello resistivo, mentre è quasi nulla nelle misure.
Secondo me questo effetto può essere messo molto più in evidenza di così, cercando di eliminare la componente puramente resistiva.
Ecco il senso della frase.
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Ti ripeto per la seconda volta, con polarizzazione positiva di Base, la corrente di collettore, già bassa va quasi a zero; ed io ho detto che vi è un trasferimento di resistenza come nel transistor, da qui la parola "TRANsfer reSISTOR".
Non c'è bisogno che tu ti ripeta. Anzi, non serviva nemmeno dirlo la prima volta. SI VEDE BENISSIMO DAL FILMATO....
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ed io ho detto che vi è un trasferimento di resistenza come nel transistor, da qui la parola "TRANsfer reSISTOR"
La differenza è che nel transistor a semiconduttore, abbassando la resistenza d'ingresso, si abbassa anche quella d'uscita; nel transistor elettrolitico, abbassando la resistenza d'ingresso si alza la resistenza d'uscita.
... e infatti non mi pare di averti contestato nulla, anche se, ad essere pignoli, bisogna notare che nel transistor BJT abbiamo una resistenza C-E che è lineare (almeno entro il range di funzionamento), mentre nella cello ho il sospetto che non lo sia.
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Quando pubblico una mia idea, è implicito che chiunque la legga, ne può fare quello che vuole.
Dalle tue reazioni non si direbbe che tu ne sia convinto fino in fondo, però.
Edited by ElettroRik - 27/2/2006, 21:45
QUOTE (remond @ 27/2/2006, 20:55)
Quando sono a bagno tutti e tre gli elettrodi, la corrente prende la strada Icb, l'elettrodo Emettitore, sembra che non esista, pur essendo 12,1 Volt più positivo del terminale Base.
E' la prima cosa che ho notato anch'io, nel mio PRIMO post. Ed ho azzardato che ciò avvenga perchè il flusso ionico viene intercettato e catturato TUTTO dalla base, non consentendo più trasferimento verso l'emettitore.