Salve a tutti,
è la prima volta che intervengo, non ho letto molte delle precedenti discussioni, probabilmente (e sperabilmente) qualcuno ha già compiuto questa associazione, e magari l'ha già rigettata come impraticabile.
Sono (quasi) un ingegnere elettronica, specializzando in microsistemi (MEMS). Leggendo nel libro di Germano che la STMicroelectronics (allora SGS-Thomson) ha presentato ad una recente ICCF un articolo, senza terminare di leggerne il titolo ho realizzato per lo meno la possibilità di sfruttare lo scaling tipico della microelettronica e le proprietà di assorbimento ed adsorbimento di una recente specie del silicio, detta silicio poroso.
Si tratta di sottoporre il silicio cristallino ad un non esageratamente difficile trattamento elettrochimico col quale si riesce a realizzare nel substrato dei pori, di dimensione, orientamento e distribuzione sufficientemente controllabili in base ai parametri di processo. Inoltre il porous silicon diventa anche fotoelettroluminescente, a differenza del silicio nativo (ovvero 'diventa' a gap diretto). Ma non è ora il caso di scendere in dettaglio, rimandando ad una prossima puntata.
Uno degli effetti netti è che il rapporto superficie/volume del silicio poroso è elevatissimo. Se si avvalora l'ipotesi che la reazione di trasmutazione fredda avvenga almeno in parte superficialmente, il silicio poroso sembrerebbe un buon candidato per combinare tecnologia microelettronica (bassi costi, elevata affidabilità, ridotte dimensioni...) e fusione fredda.
Non essendo però esperto abbastanza, vorrei sottoporvi le seguenti questioni:
-nella realizzazione degli elettrodi, è almeno pensabile di sostituire semiconduttori per metalli?
Ricordate che il silicio offre assai ampie possibilità di modulazione della conducibilità elettrica tramite drogaggi.
-quanto conta la temperatura di fusione degli elettrodi?
Mi spiego: se assumiamo che la temperatura del plasma (mi riferisco all'effetto Iorio-Cirillo-Dattilo) superi quella di fusione del W, potrebbe non fare differenza sostituire il W con Si.
E' solo una idea. Ma spesso le migliori soluzioni vengono dalle mutue fertilizzazioni tra discipline apparentemente distanti (parafrasando Maxwell).
Mangoo
è la prima volta che intervengo, non ho letto molte delle precedenti discussioni, probabilmente (e sperabilmente) qualcuno ha già compiuto questa associazione, e magari l'ha già rigettata come impraticabile.
Sono (quasi) un ingegnere elettronica, specializzando in microsistemi (MEMS). Leggendo nel libro di Germano che la STMicroelectronics (allora SGS-Thomson) ha presentato ad una recente ICCF un articolo, senza terminare di leggerne il titolo ho realizzato per lo meno la possibilità di sfruttare lo scaling tipico della microelettronica e le proprietà di assorbimento ed adsorbimento di una recente specie del silicio, detta silicio poroso.
Si tratta di sottoporre il silicio cristallino ad un non esageratamente difficile trattamento elettrochimico col quale si riesce a realizzare nel substrato dei pori, di dimensione, orientamento e distribuzione sufficientemente controllabili in base ai parametri di processo. Inoltre il porous silicon diventa anche fotoelettroluminescente, a differenza del silicio nativo (ovvero 'diventa' a gap diretto). Ma non è ora il caso di scendere in dettaglio, rimandando ad una prossima puntata.
Uno degli effetti netti è che il rapporto superficie/volume del silicio poroso è elevatissimo. Se si avvalora l'ipotesi che la reazione di trasmutazione fredda avvenga almeno in parte superficialmente, il silicio poroso sembrerebbe un buon candidato per combinare tecnologia microelettronica (bassi costi, elevata affidabilità, ridotte dimensioni...) e fusione fredda.
Non essendo però esperto abbastanza, vorrei sottoporvi le seguenti questioni:
-nella realizzazione degli elettrodi, è almeno pensabile di sostituire semiconduttori per metalli?
Ricordate che il silicio offre assai ampie possibilità di modulazione della conducibilità elettrica tramite drogaggi.
-quanto conta la temperatura di fusione degli elettrodi?
Mi spiego: se assumiamo che la temperatura del plasma (mi riferisco all'effetto Iorio-Cirillo-Dattilo) superi quella di fusione del W, potrebbe non fare differenza sostituire il W con Si.
E' solo una idea. Ma spesso le migliori soluzioni vengono dalle mutue fertilizzazioni tra discipline apparentemente distanti (parafrasando Maxwell).
Mangoo
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