Un modulo PV che dura 40anni!!!

[econtek]

evviva un pannello dura realmente 40anni......bohhhh io ho fatto misure su un impianto del 1979 e ha per so solo 8.3% del valore nominale sono passati 27anni!!! ma 40 mi sembrano troppi comunque qui c'è il link!?!??!

http://www.ticinoricerca.ch/catprog/attach...i/5_Solarec.pdf


www.econtek.it

Edited by FernandoFast - 15/10/2006, 11:33

 

[FernandoFast]

CITAZIONE (econtek @ 13/10/2006, 13:02)
ma 40 mi sembrano troppi ...​

Ti sbagli, non c'era bisogno di questa affermazione "svizzera". I primi pannelli installati da note aziende del settore oltre 35 anni fa stanno ancora producendo e non è solo ricerca ma piuttosto pura realtà!

 

[OggettoVolanteIdentificato]

Beh,da quel che so,l'invecchiamento dei pannelli non dipende dagli anni,quanto dal degrado dovuto a bombardamento di Uv e dai flussi rapidi di scorrimento elettroni.Credo che un pannello tenuto in un magazzino dopo 50 anni sarà ancora come nuovo.

 

[FernandoFast]

CITAZIONE (OggettoVolanteIdentificato @ 16/10/2006, 02:28)
Beh,da quel che so,l'invecchiamento dei pannelli non dipende dagli anni,quanto dal degrado dovuto a bombardamento di Uv e dai flussi rapidi di scorrimento elettroni.Credo che un pannello tenuto in un magazzino dopo 50 anni sarà ancora come nuovo.​

Ti riporto un testo tecnico sulle caratteristiche di semiconduttore del silicio e dell'effetto del drogaggio "p" ed "n".
(purtroppo non riesco a trovare la fonte: è un documento che ho sul PC da parecchio tempo"

CITAZIONE
Il silicio è un materiale semiconduttore.
La valenza degli atomi di silicio è 4 e la struttura cristallina del solido è quella di un reticolo cubico a facce centrate (FCC).
La distribuzione degli atomi è tale che per ogni posizione reticolare ogni atomo ha quattro prossimi vicini.

il drogaggio di un semiconduttore
l’introduzione di elementi con valenza diversa da quella dell’elemento base del solido. Tale azione dà luogo a un cambiamento della conducibilità del materiale stesso.

Drogaggio di tipo-n: introducendo elementi droganti con valenza superiore a quella degli atomi che compongono il solido ospite si ottiene un materiale in cui aumenta la concentrazione di elettroni liberi.

Drogaggio di tipo-p: introducendo elementi droganti con valenza inferiore a quella degli atomi che compongono il solido ospite si ottiene un materiale in cui aumenta la concentrazione di lacune libere (mancanza di elettroni di legame).

Il limite superiore di concentrazione di drogante è stabilito dalla solubilità di tale elemento nel solido.

Quello inferiore dall’impossibilità pratica di avere a disposizione un solido cristallino ideale, privo cioè di impurezze

Per le applicazioni elettroniche la purezza del silicio dev’essere migliore di una parte per miliardo (0.001 ppm)

La complementarità dei due tipi di drogaggio (tipo-n e tipo-p) ha fondato la base per lo sviluppo dell’elettronica.

Il trasporto di corrente nel solido può quindi essere dominato dagli elettroni (carica negativa) o dalle lacune (carica positiva).

Il dispositivo di base è la giunzione p-n che può definirsi l’elemento non lineare da cui ha potuto cominciare l’evoluzione fino alla moderna elettronica.​

Quindi la struttura cristallina del silicio una volta drogata cambia. L'invecchiamento deriva dalla modificazione che può avvenire nella struttura del silicio drogata.

Per questo motivo, se metti i pannelli in magazzino per 50 anni, comunque la loro struttura potrebbe degradare, sicuramente non tanto da far cessare la capacità di reagire ai fotoni producendo un flusso di elettricità.