(In costruzione)
Il transistor a giunzione bipolare , detto anche BJT (dalla traduzione inglese) è un dispositivo composto generalmente da due giunzioni .. consecutive.. (contrariamente al diodo che ne ha solitamente una).. in pratica a "panino".
Per maggiori info su semiconduttori, drogaggi e giunzioni vedere qua:
http://energierinnovabili.forumcommunity.net/?t=8838498
Si ottiene un transistor "componendo" tre regioni a drogaggio differito N, P ed N. Tale transistor viene definito NPN.
Si può ottenere un transistor anche invertendo i droganti ed ottenendo quindi un transistor definito PNP.
Le regioni a drogaggio simile "ai lati" non sono fisicamente/geometricamente identiche. La cosa esalta alcune peculiarità a scapito di altre. Tal cosa permette anche di "battezzare" le due regioni come "emittore" (di seguito E) e "collettore" (C). La zona intermedia è invece chiamata "base" (B). Di norma il C presenta un drogaggio più scarso rispetto all'E dove invece è più forte, mentre dimensionalmente è più "grande" il C rispetto all'E. La base è di norma molto piccola, sia come drogaggio che come dimensione.
I transistor sono simboleggiati come segue:
La differenza tra NPN e PNP è evidenziata con il verso della freccia presso l'emittore.
Tale freccia simboleggia il verso della corrente nell'emittore.
Ricordo però che la corrente è simboleggiata, per convenzione, uscente da un punto a potenziale più positivo ed entrante in uno più negativo (mentre in realtà gli elettroni, avendo carica negativa, si muovono dal negativo verso il positivo).
Di conseguenza lo NPN avrà corrente/freccia uscente dall'emittore (mentre in realtà in E entrano elettroni) e viceversa.
Di solito [cut] la giunzione base-emittore (B-E) viene polarizzata direttamente, ovvero come avviene per un diodo e ne presenta simili caratteristiche, ovvero una "Vf" in diretta (ad es. la "Vbe" è dell'ordine di 0.6V per dispositivi al silico). Come tensione inversa tuttavia accetta tensioni massime molto contenute (solitamente la "Veb" max arriva ai 5-6V) , oltre va in "zener".
La giunzione base-collettore viceversa risulta polarizzata (nell'uso "canonico") in inversa (Vcb) ed accetta tensioni ben più alte che dipendono dal modello di transistor e circa coincidenti con la stessa tensione massima di collettore-emittore (Vce). Oltre si va generalmente in "zener" o equivalenti fenomeni..
Per un transistor NPN (E,B,C) si applicherà una tensione con positivo sulla base B (P) e negativo sull'emittore E (N). Passerà allora una corrente (se V> Vbe"on"), entrante in B e uscente in E (vedi "freccia" del simbolo).
Per il funzionamento intrinseco del transistor si avrà tuttavia anche un passaggio di corrente tra collettore C ed emittore E se queste due zone sono sottoposte a loro volta ad una tensione, con polarità positiva in C e negativa in E, con corrente untrante quindi in C (nonostante sia un "N") e sempre uscente in E.
Sempre per il funzionamento intrinseco del transistor la corrente di collettore C sarà controllata dall'entità di quella di base B (che funge da "rubinetto").
Dal momento che esistono transistor PNP questi funzionano esattamente come gli NPN solo che con polarità opposta (B negativa rispetto a E ; C negativo rispetto a E; corrente di B uscente da quest'ultima ed entrante in E, corrente di C uscente da quest'ultimo ed entrante in E.
NOTA: come intuibile dalla designazione stessa (speculare) NPN o PNP, se si polarizza in diretta (per qualche motivo o situazione momentanea del circuito) la giunzione base collettore, questa ovviamente CONDUCE (come fa la base emitter) non essendoci sostanziali differenze.
Dal momento che "l'effetto transistor" si può ottenere ugualmente (cioè questa polarizzazione comporta la conduzione e un certo controllo di una ipotetica corrente inversa in emittore, se a sua volta viene polarizzata anche la Vec), ovvero il transistor si RIBALTA.
Ovviamente per quanto specificato all'inizio (differenze costruttive) il "nuovo" transistor ottenuto è un dispositivi con caratteristiche molto mediocri (e da molti punti di vista)....
-------------------------
breve cenno sul funzionamento
Dal momento che la base è molto piccola, applicando una differenza di potenziale al "diodo" B-E in modo da polarizzarlo direttamente e far passare una certa corrente, le cariche elettriche che la formeranno, andranno in realtà a "diffondersi" parzialmente nella zona del collettore. Ciò è quindi principalmente dovuto alla dicioamo grande capacità "donatrice" di elettroni (x un NPN) dell'E, fortemente drogato... alla scarsa capacità "accettatrice" della B, debolmente drogata.... alla sua piccola dimensione/spessore.. e alla polarizzazione inversa della successiva giunzione B-C, ovvero C più positivo di B, che tente ad "attrarre"/"richiamare" gli elettroni (con carica negativa) che transitano in zona..
Per ulteriori dettagli vedere ad esempio:
http://www.math.unipd.it/~lmaraf/file_m/transistor.htm
http://www.itislanciano.it/web/lavori/bande/bjt.htm
Edited by gattmes - 5/9/2007, 12:23
Il transistor a giunzione bipolare , detto anche BJT (dalla traduzione inglese) è un dispositivo composto generalmente da due giunzioni .. consecutive.. (contrariamente al diodo che ne ha solitamente una).. in pratica a "panino".
Per maggiori info su semiconduttori, drogaggi e giunzioni vedere qua:
http://energierinnovabili.forumcommunity.net/?t=8838498
Si ottiene un transistor "componendo" tre regioni a drogaggio differito N, P ed N. Tale transistor viene definito NPN.
Si può ottenere un transistor anche invertendo i droganti ed ottenendo quindi un transistor definito PNP.
Le regioni a drogaggio simile "ai lati" non sono fisicamente/geometricamente identiche. La cosa esalta alcune peculiarità a scapito di altre. Tal cosa permette anche di "battezzare" le due regioni come "emittore" (di seguito E) e "collettore" (C). La zona intermedia è invece chiamata "base" (B). Di norma il C presenta un drogaggio più scarso rispetto all'E dove invece è più forte, mentre dimensionalmente è più "grande" il C rispetto all'E. La base è di norma molto piccola, sia come drogaggio che come dimensione.
I transistor sono simboleggiati come segue:
La differenza tra NPN e PNP è evidenziata con il verso della freccia presso l'emittore.
Tale freccia simboleggia il verso della corrente nell'emittore.
Ricordo però che la corrente è simboleggiata, per convenzione, uscente da un punto a potenziale più positivo ed entrante in uno più negativo (mentre in realtà gli elettroni, avendo carica negativa, si muovono dal negativo verso il positivo).
Di conseguenza lo NPN avrà corrente/freccia uscente dall'emittore (mentre in realtà in E entrano elettroni) e viceversa.
Di solito [cut] la giunzione base-emittore (B-E) viene polarizzata direttamente, ovvero come avviene per un diodo e ne presenta simili caratteristiche, ovvero una "Vf" in diretta (ad es. la "Vbe" è dell'ordine di 0.6V per dispositivi al silico). Come tensione inversa tuttavia accetta tensioni massime molto contenute (solitamente la "Veb" max arriva ai 5-6V) , oltre va in "zener".
La giunzione base-collettore viceversa risulta polarizzata (nell'uso "canonico") in inversa (Vcb) ed accetta tensioni ben più alte che dipendono dal modello di transistor e circa coincidenti con la stessa tensione massima di collettore-emittore (Vce). Oltre si va generalmente in "zener" o equivalenti fenomeni..
Per un transistor NPN (E,B,C) si applicherà una tensione con positivo sulla base B (P) e negativo sull'emittore E (N). Passerà allora una corrente (se V> Vbe"on"), entrante in B e uscente in E (vedi "freccia" del simbolo).
Per il funzionamento intrinseco del transistor si avrà tuttavia anche un passaggio di corrente tra collettore C ed emittore E se queste due zone sono sottoposte a loro volta ad una tensione, con polarità positiva in C e negativa in E, con corrente untrante quindi in C (nonostante sia un "N") e sempre uscente in E.
Sempre per il funzionamento intrinseco del transistor la corrente di collettore C sarà controllata dall'entità di quella di base B (che funge da "rubinetto").
Dal momento che esistono transistor PNP questi funzionano esattamente come gli NPN solo che con polarità opposta (B negativa rispetto a E ; C negativo rispetto a E; corrente di B uscente da quest'ultima ed entrante in E, corrente di C uscente da quest'ultimo ed entrante in E.
NOTA: come intuibile dalla designazione stessa (speculare) NPN o PNP, se si polarizza in diretta (per qualche motivo o situazione momentanea del circuito) la giunzione base collettore, questa ovviamente CONDUCE (come fa la base emitter) non essendoci sostanziali differenze.
Dal momento che "l'effetto transistor" si può ottenere ugualmente (cioè questa polarizzazione comporta la conduzione e un certo controllo di una ipotetica corrente inversa in emittore, se a sua volta viene polarizzata anche la Vec), ovvero il transistor si RIBALTA.
Ovviamente per quanto specificato all'inizio (differenze costruttive) il "nuovo" transistor ottenuto è un dispositivi con caratteristiche molto mediocri (e da molti punti di vista)....
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breve cenno sul funzionamento
Dal momento che la base è molto piccola, applicando una differenza di potenziale al "diodo" B-E in modo da polarizzarlo direttamente e far passare una certa corrente, le cariche elettriche che la formeranno, andranno in realtà a "diffondersi" parzialmente nella zona del collettore. Ciò è quindi principalmente dovuto alla dicioamo grande capacità "donatrice" di elettroni (x un NPN) dell'E, fortemente drogato... alla scarsa capacità "accettatrice" della B, debolmente drogata.... alla sua piccola dimensione/spessore.. e alla polarizzazione inversa della successiva giunzione B-C, ovvero C più positivo di B, che tente ad "attrarre"/"richiamare" gli elettroni (con carica negativa) che transitano in zona..
Per ulteriori dettagli vedere ad esempio:
http://www.math.unipd.it/~lmaraf/file_m/transistor.htm
http://www.itislanciano.it/web/lavori/bande/bjt.htm
Edited by gattmes - 5/9/2007, 12:23
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