<div align="center"><div class="quote_top" align="left"><b>CITAZIONE</b> (econtek @ 13/10/2006, 13:02)</div><div id="quote" align="left">ma 40 mi sembrano troppi ...</div></div><br>Ti sbagli, non c&#39;era bisogno di questa affermazione &quot;svizzera&quot;. I primi pannelli installati da note aziende del settore oltre 35 anni fa stanno ancora producendo e non è solo ricerca ma piuttosto pura realtà&#33;

Beh,da quel che so,l&#39;invecchiamento dei pannelli non dipende dagli anni,quanto dal degrado dovuto a bombardamento di Uv e dai flussi rapidi di scorrimento elettroni.Credo che un pannello tenuto in un magazzino dopo 50 anni sarà ancora come nuovo.

<div align="center"><div class="quote_top" align="left"><b>CITAZIONE</b> (OggettoVolanteIdentificato @ 16/10/2006, 02:28)</div><div id="quote" align="left">Beh,da quel che so,l&#39;invecchiamento dei pannelli non dipende dagli anni,quanto dal degrado dovuto a bombardamento di Uv e dai flussi rapidi di scorrimento elettroni.Credo che un pannello tenuto in un magazzino dopo 50 anni sarà ancora come nuovo.</div></div><br>Ti riporto un testo tecnico sulle caratteristiche di semiconduttore del silicio e dell&#39;effetto del drogaggio &quot;p&quot; ed &quot;n&quot;.<br>(purtroppo non riesco a trovare la fonte: è un documento che ho sul PC da parecchio tempo&quot;<br><br><div align="center"><div class="quote_top" align="left"><b>CITAZIONE</b></div><div id="quote" align="left">Il silicio è un materiale semiconduttore.<br>La valenza degli atomi di silicio è 4 e la struttura cristallina del solido è quella di un reticolo cubico a facce centrate (FCC).<br>La distribuzione degli atomi è tale che per ogni posizione reticolare ogni atomo ha quattro prossimi vicini.<br><br>il drogaggio di un semiconduttore<br>l’introduzione di elementi con valenza diversa da quella dell’elemento base del solido. Tale azione dà luogo a un cambiamento della conducibilità del materiale stesso.<br><br>Drogaggio di tipo-n: introducendo elementi droganti con valenza superiore a quella degli atomi che compongono il solido ospite si ottiene un materiale in cui aumenta la concentrazione di elettroni liberi.<br><br>Drogaggio di tipo-p: introducendo elementi droganti con valenza inferiore a quella degli atomi che compongono il solido ospite si ottiene un materiale in cui aumenta la concentrazione di lacune libere (mancanza di elettroni di legame).<br><br>Il limite superiore di concentrazione di drogante è stabilito dalla solubilità di tale elemento nel solido.<br><br>Quello inferiore dall’impossibilità pratica di avere a disposizione un solido cristallino ideale, privo cioè di impurezze<br><br>Per le applicazioni elettroniche la purezza del silicio dev’essere migliore di una parte per miliardo (0.001 ppm)<br><br>La complementarità dei due tipi di drogaggio (tipo-n e tipo-p) ha fondato la base per lo sviluppo dell’elettronica.<br><br>Il trasporto di corrente nel solido può quindi essere dominato dagli elettroni (carica negativa) o dalle lacune (carica positiva).<br><br>Il dispositivo di base è la giunzione p-n che può definirsi l’elemento non lineare da cui ha potuto cominciare l’evoluzione fino alla moderna elettronica.</div></div><br>Quindi la struttura cristallina del silicio una volta drogata cambia. L&#39;invecchiamento deriva dalla modificazione che può avvenire nella struttura del silicio drogata.<br><br>Per questo motivo, se metti i pannelli in magazzino per 50 anni, comunque la loro struttura potrebbe degradare, sicuramente non tanto da far cessare la capacità di reagire ai fotoni producendo un flusso di elettricità.<br><br> <img src="https://www.energeticambiente.it/images/4469eb92fd4263e59118ce85355ad404.gif" alt="">