regolatore di carica / interfacciamento generatore - batteria: QUI TUTTE LE DOMANDE E DUBBI

[gattmes]

...siiii ...

Bene hai calcolato 1,66 C/W.. ma qua mi chiedi:

è giusto? o bisogna aggiungere anche la temperatura ambiente?

Il mio messaggio non lo hai letto? Mi sembrava di averlo ben spiegato..

Per favore rileggi e dimmi il punto dove non è chiaro così lo modifico
In ogni caso per favore quotami la parte in cui ne parlo

Fatto questo ti chiedo poi (poi!) un'altra cosa:
.. già che vai nel mio messaggio dove spiegavo tutta la "solfa" della resistenza termica, "quotami" (fai 2 quotature separate) anche tutto il discorso/pezzo sulla Rjc (ti aiuto A noi interessa....)

così poi vediamo il "4"

[transistor86]

Ma se la potenza passa a 25W, allora il delta diventà 100C.. e quindi nel primo caso arriveremo a 125C, nel secondo a 142: a questa temperatura molti dispositivi defungono; significa che dovremo adottare un dissipatore "migliore".

no ora è tutto chiaro... ho letto bene, quindi al delta(t) bisognerebbe addizionare anche la temperatura ambiente che nel nostro caso è di 35°, quindi:

Te= (temperatura ambiente)

Rt= {delta(t)+Ta}/W= ----------> Rt= (200+35)/120=1.96

[gattmes]

No!

Per quello ti dicevo di quotare tutta la parte dove lo spiegavo (non solo quella dei calcoli).. probabilmente non è chiaro come lo ho spiegato (forse sto iniziando a capire dove sono stato contorto. Chiedo scusa ma a volte si tende a dar per scontato ed è difficile essare chiari/espliciti... "Smazziamola" e poi sistemiamo il tutto..così è un lavoro fatto per la sez. manualistica)

provo a quotarla io:

In campo elettronico si tende ad utilizzare un parametro che è la resistenza termica, espressa in gradi a watt -> C/W
In pratica si paragona la potenza dissipata ad una corrente elettrica: la differenza di temperatura tra l'ambiente (temperatura dell'aria) e il dispositivo che dissipa, sarà semplicemente data dall'estrapolazione della legge di ohm. ovvero il "delta T" sarà uguale ai watt dissipati moltiplicati la resistenza termica.
Ad esempio un dissipatore di 4C/W collegato a un transistor che dissipa 10W, determinerà un salto termico di 4x10=40C (gradi). Ciò significa che se "l'ambiente" è 25C.. il transistor si porterà a:
25+40=65C, mentre se "fa caldo".. esempio 42 gradi, avremo 42+40= 82 gradi sul dispositivo.

Domande:
A) che cosa è il "delta T" o "differenza di temperatura" .. o "salto termico"?
B) che cosa è la Tj?
C) che cosa è la Tj max?
(non rispondete a queste domande se il vostro nick/nome non è transistor86!)

[gattmes]

Ho provato a modificare.. dimmi se così è più chiaro:

In campo elettronico si tende ad utilizzare un parametro che è la resistenza termica, espressa in gradi a watt -> C/W
In pratica si paragona la potenza dissipata ad una corrente elettrica.
In una resistenza elettrica, la corrente che la attraversa provoca una differenza di tensione (/potenziale) ai capi, cioè deltV=I x R (legge di Ohm)
Nel caso "termico" la quantità di "calore" che la attraversa (praticamente i Watt dissipati) provoca una differenza di temperatura ..ai capi (esempio un capo è l'ambiente o temperatura dell'aria e l'altro il dispositivo che dissipa)! Ovvero il "delta T" sarà uguale ai watt dissipati moltiplicati la resistenza termica:
deltaT= W x Rt .

Ad esempio un dissipatore di 4C/W collegato a un transistor che dissipa 10W, determinerà un salto termico di 4x10=40C (gradi). Ciò significa che se "l'ambiente" è 25C.. il transistor si porterà a:
25+40=65C, mentre se "fa caldo".. esempio 42 gradi, avremo 42+40= 82 gradi sul dispositivo.
Ma se la potenza passa a 25W, allora il delta diventà 100C.. e quindi nel primo caso arriveremo a 125C, nel secondo a 142: a questa temperatura molti dispositivi defungono; significa che dovremo adottare un dissipatore "migliore".

[transistor86]

a) il delta(t) è la differenza di temperatura tra l'ambiente e il dispositivo che dissipa;

b) il Tj è la temperatura dell'involucro;

c) il Tj max è la temperatura massima sopportata dal silicio.

[gattmes]

Ni..
a) ok
c) ok

vediamo b)...allora Tj...senza max... quindi j per junction, ossia giunzione.. quindi è sempre la temperatura del silicio.
Il contenitore in inglese è "case" e quindi nei cataloghi ci si riferisce con Tc

(come ti sembra "il pezzo"? È più chiaro?)

Allora la Tj max è ovviamente la massima raggiungibile.. mentre quella Tj è quella che si ha in una determinata condizione. Può ovviamente essere minore (es Ta=ambiente 25 gradi.. e transistor... con poca potenza.. o spento!) o anche uguale (massima potenza dissipabile in una certa condizione) ma mai maggiore!

provo a continuare il "pezzo" (ma dimmi se la parte di prima ti sembra più chiara!):

Nel caso elettrico se colleghiamo il capo della resistenza ad un certo valore di tensione, esempio 25V.. l'altro capo sarà a una tensione più alta (o più bassa, a seconda del verso della corrente), dovuta all'incremento del deltaV sulla resistenza: la tensione di questo secondo punto sarà sempre quella iniziale sommata (o sottratta) al valore del deltaV..
..così se il deltaV sulla resistenza è di 20V.. avremo 40 con il valore iniziale citato (25V)... 70 se l'iniziale è 50... 220 se l'iniziale era 200.. e così via.
Stessa cosa nel caso termico ..se un capo è l'ambiente...e questo è 25C con 40 di deltaT ci ritroviamo 65C dall'altra parte... 140 se l'iniziale è 100.. e così via.
Ora è chiaro che l'elemento più "saliente" lato "ambiente" rappresenta il massimo valore che l'ambiente può assumere. Così se il circuito lavora in un ambiente che va da -10C a +50C.. è qust'ultimo 50 che ci interessa!
Dall'altra parte abbiamo la giunzione. Quindi si presentano due strade.
La prima riguarda..diciamo una verifica di dove si porterebbe la giunzione con una data Ta, Rtermica. e potenza dissipata. In tal caso calcoliamo il delta T.. e sapendo l'ambiente max posssiamo calcolare la Tj massima raggiunta (e verificare esempio se eccede o meno la Tj max di "targa")
La seconda riguarda invece il dimensionamento. In tal caso NON vogliamo distruggere il dispositivo... quindi per il calcolo prendiamo la Tj max (o un valore un po sotto)... e andiamo noi a calcolare la resistenza termica globale massima che ci possiamo permettere.

[transistor86]

ok! tutto chiaro... ora come procediamo?qual'è il 4° passo?

[gattmes]

Allora noi ora seguiamo la seconda strada... sappiamo che il dato "ambientale" più tosto è la Ta max (tu dicevi mi sembra 35C.. eventualmente ritocca questo dato), sappiamo la Tj max (che hai trovato come 200C)... e quello che dobbiamo calcolare e la resistenza termica... passando per il calcolo prima della deltaV ai suoi capi...ops..del deltaT...che verrà: (continua tu)

(ti aiuto.. un capo della R termica è alla Ta.. e l'altro alla Tj... noi calcoliamo nel caso di Ta max e Tj max.., quindi...)

Ps ho sistemato la parte corsiva del messaggio di prima (qui) dove in seguito a correzioni mi ero fumato dei pezzi

[transistor86]

Ricapitolando tutto:

delta(t) = differenza di temperatura dell'ambiente esterno;

Tj = temperatura contenitore transistor;

T(jmax) = temperatura max del silicio;

T(a) = temperatura dell'ambiente;

R(t) = resistenza termica;

ora per calcolare il delta(t), bisogna fare:

delta(t) = R(t)*W

quindi se ci vogliamo ricavare la R(t) viene:

R(t) = delta(t)/W.

Fin qui tutto chiaro!
Ora perchè mi dici di utilizzare anche

(ti aiuto.. un capo della R termica è alla Ta.. e l'altro alla Tj... noi calcoliamo nel caso di Ta max e Tj max.., quindi...)

[ci aggiorniamo a domani]

se è così allora la formula di prima diventa

R(t) = delata(t)/W

dove ora delta(t) dovrebbe essere

R(t) = {T(j)-T(a)}/W


E' così? o sono io che non sto più a capire niente?
Poi un altra domanda, ma T(j) che valore assume?se T(jmax) = 200°C T(j) quanto è?

Comunque ti ringrazio per la tua pazienza e disponibilità. I ringraziamenti seri te li farò alla fine...

[gattmes]

Allora partiamo dalla fine:

dove ora delta(t) dovrebbe essere

R(t) = {T(j)-T(a)}/W

Ok ci siamo!
Quindi delta T è la differenza di gradi sulla resistenza termica,
Nel nostro caso da una parte c'è l'ambiente e dall'altra la giunzione (junction da cui Tj, come già visto/scritto già in precedenza)

--------------------------

Ma qui non ci siamo:

Tj = temperatura contenitore transistor;

T(jmax) = temperatura max del silicio;

lo avevi scritto anche in precedenza (vedere qua )
e io lo avevo corretto commentato (vedere qua )

vediamo b)...allora Tj...senza max... quindi j per junction, ossia giunzione.. quindi è sempre la temperatura del silicio.
Il contenitore in inglese è "case" e quindi nei cataloghi ci si riferisce con Tc

Quindi se c'è "j" è sempre riferito alla giunzione, non al "contenitore" o "involucro"

La Tj max è la massima che NON bisogna superare per non far fondere il silicio ed è un dato di targa/del catalogo/del databook/datasheet!

La Tj senza max è quella a cui realmente si porta la giunzione in una data condizione: se fa freddo (-10) e stai dissipando niente.. sarà -10.. se stai dissipando qualcosa sarà di più (dipende da che "smaltimento" di calore hai = leggi "aletta di raffreddamento").
Se invece sei all'equatore e hai 40 gradi e stai dissipando il massimo (parlo di un progetto ben fatto.. e fatto per "andare" a 40 gradi ambiente!) sarai prossimo alla Tj max.

Per farti un esempio prendiamo un'automobile: se è data per 180km/h.. ci puoi andare anche a 50km/h... o a 80Km/h... ma non a 190km/h: spacchi tutto!
Inoltre puoi trovarti in una strada in discesa (-10 gradi).. o in una strada in salita (+50C).... ma nuovamente sarai sempre te a scegliere se andare al massimo oppure a un regime più "calmo".
In ultima analisi il motore ..diciamo che .."sforzerà" sia in funzione di quanto tu pesti sull'acceleratore (watt dissipati nel caso nostro), sia in funzione delle caratteristiche "ambientali" della strada, ovvero salita, pianura discesa.. e le pendenze relative (ambiente freddo, "normale", o caldo nel nostro caso).

---------------------------------

Tornando al "contenitore".. ecco spiegato perchè ero partito in un certo modo. Se il contenitore è ad una certa temperatura "X".. non è detto che la giunzione sia alla stessa temperatura (sarà di norma ben maggiore).
Questo perchè, e lo avevi postato anche tu, la resistenza termica totale è formata dalla somma di più resistenze.
Partendo dall'ambiente abbiamo
1) quella del "dissipatore" su cui si forma il deltaT ambiente-dissipatore(<- inteso nella zona di contatto con il transistor)
2) quella "di contatto" tra dissipatore e contenitore del transistor
3) quell tra il contenitore e la giunzione

della 3 ne avevo parlato qua:

Nei dispositivi di potenza il "silicio attivo" è "appiccicato" di norma a una base metallica per maggiore trasmissione del calore. Tuttavia anche questa soluzione determina una piccola resistenza termica.. che si va a sommare a quella del dissipatore

della 2 ne avevo parlato qua:

Il contenitore e il dissipatore non sono completamente lisci, ma presentano delle microrugosità. Conseguentemente contenitore/dissipatore non "toccano" completamente ma solo in alcuni punti (ovviamente la cosa è visibile a microscopio). Questo può essere visto come una ulteriore resistenza termica di contatto: la resistenza contenitore-dissipatore (case to heatsink -> Rch), che va ovviamente a sommarsi a quella generale.
Talvolta può essere ridotta o tramite l'uso di "paste" conduttive, che vanno a riempire le cavità e quindi aumentano il contatto contenitore/dissipatore. In certi casi si deve "condurre termicamente", ma "isolare elettricamente. Un tempo si usava una lastrina di mica o simile, oggi si usano i materiali siliconici. Essendo il componente base lo stesso delle paste siliconiche, è del tutto superfluo anzi dannoso impiegarli congiuntamente.

[gattmes]

torniamo al nostro calcolo.. dove consideriamo per ora la totale (poi vedremo le singole componenti)

Hai fatto il calcolo con la Ta max.. e con la Tj max (come ti avevo suggerito)..
ovvero usando la tua formula:
R(t) = {T(j)-T(a)}/W , ossia R(t) = {T(j)max-T(a)max}/W...
e sostituendo R(t) = {200-35}/120 (considerato il caso di 120W)

ma hai dei dubbi sul perchè.
1) Allora prova intanto a vedere quanto viene quel valore (e postalo),

2) poi puoi porvare a scegliere come prima cosa una Tj diversa dalla Tj max, ma ovviamente inferiore! Perchè se maggiore si spacca tutto! Scegli un valore, fai il calcolo e postalo (indicando valori scelti e risultato)

3) poi prova a cambiare anche la Ta, ovviamente non maggiore della Ta max (altrimenti questa non era proprio la max!), lasciando invariato il Tj max (occhio al max!) (posta indicando valori scelti e risultato)

4) poi prova a variare sia Ta che Tj (seguendo le regole sui max dei punti precedenti) e nuovamente posta un dato e valori di calcolo

Fai un solo calcolo per ogni situazione "variante" (più quello dl punto 1!), in modo da avere 4 resistenze termiche diverse (sempre con 120W dissipati)
(non rispondete a queste domande se il vostro nick/nome non è transistor86!)

(Ps ovviamente se c'è qualcosa di non chiaro in quanto ho spiegato fammelo presente!)
.....

[transistor86]

Prima resistenza termica:

(fisso T(a max)= 40° poichè 35° erano pochi)


R(t1) = {T(jmax) - T(a max)}/W -----------> R(t1) = {200°-40°}/120W = 1.33



R(t2) = {T(j) - T(a max)}/W -----------> R(t2) = {30°-40°}/120W = 0.083


R(t3) = {T(j max) - T(a min)}/W -----------> R(t3) = {200°-(-4°)}/120W=1.7


fissato T(jx)=15, T(ax)=25

R(t4) = {T(jx) - T(ax)}/W -----------> R(t4) = {15-25}/120=0.083

Correggimi se ho sbagliato qualcosa.

[gattmes]

Tutto giusto! ..
A parte qualche segno + / - per il quale faccio solo due osservazioni:

Vediamo la 2.. hai fissato una temperatura di giunzione (30C) più bassa di quella ambiente (40C.. e che ti avevo chiesto io di tenere "così")
... il risultato viene -0.083C/W (negativo!).

Significa che in pratica il dissipatore potrebbe anche lievemente scaldare.. invece di raffreddare. È chiaro che è un caso poco realistico.. a meno che non ci sia stato un repentino sbalzo della Ta da un valore più fresco e dove il tutto si era "stabilizzato" termicamente, verso quello massimo (da te fissato a 40C). È comunque interessante averlo visto.
Per i ragionamenti che seguono la sostituisco con una più alta: facciamo 50.. allora abbiamo la (nuova) R(t2) = {50°-40°}/120W = 0.083C/W (questa volta positivi!)

Vediamo anche la 4 che è analoga.. (esempio potrebbe essere in inverno: magari il circuito è in solaio.. e hai aperto la porta per accedervi.. e il caldo della casa ha scaldato rapidamente il locale) anche qui la alzo a 50..allora la (nuova) R(t4) = {50°-25°}/120W = 0,208C/W (sempre positivi)

Allora ricapitolando:
R(t1)=1.33C/W
R(t2)=0.083C/W
R(t3)=1,7C/W
R(t4)=0.208C/W

abbiamo 4 resistenze termiche diverse.. che possiamo considerare quattro modi di implementare ... o tipi .. di "dissipatore". Chiaramente migliore sarà il dissipatore.. minore sarà la sua resistenza termica.

Conseguentemente un ottimo sistema di raffreddamento di soli 0,2C/W (Rt4) dovrebbe andare bene (ammesso di poterlo ottenere...) in tutti i casi...
Infatti ragionando a ritroso prova a calcolare (stavolta è una verifica.. assumiamo di aver progettato con un certo dissipatore .. e verifichiamo cosa capita nelle altre condizioni.. quindi seguiamo la "strada uno" citata in precedenza).. dicevo/scrivevo cosa succede nella situazione:

A) con Rt fissa a 0,208CW e la Ta dei casi 1/2 e 3.. (ovvero la Ta per quei calcoli 40 e 4. -Ndr: cito 1/2 perchè la Ta è la stessa..e quindi anche il calcolo!) , stavolta calcola la Tj dove si porta (sempre con 120W) [chiama le risposte A1/2) Tj=...., A3) Tj= ...]

B) provando ad usare il dissipatore del caso 3 (Rt=1,7C/W) e vedendo con le Ta di 1/2 e 4 [chiama le risposte B1/2) Tj=...., B4) Tj= ...]

C) prova ad usare il dissipatore del caso 2 (Rt=0,083C/W) e vedendo con le Ta di 1/2 e 3 e 4 [chiama le risposte C1/2) Tj=...., C3) Tj= ..., C4) Tj=...]

D) prova ad usare il dissipatore del caso 1 (Rt=1,33C/W) e vedendo con le Ta di 1/2 e 3 e 4 [chiama le risposte D1/2) Tj=...., D3) Tj= ..., D4) Tj=...]

(non rispondete a queste domande se il vostro nick/nome non è transistor86!)

..e poi tiriamo le conclusioni di questa parte (poi passiamo a vedere.. "il bello" con le singole componenti della Rtotale)

[transistor86]

allora, scrivo una sola volta la formula:

R(t) = {T(j) - T(a)}/W ------------------> T(j) = {R(t) * W} + T(a)

quindi:

A1/2) T(j)={0.208*120}+40=64.96
A3) T(j)={0.208*120}+(-4)=20.96

B1/2) T(j)={1.7*120}+40=244
B4) T(j)={1.7*120}+25=229

C1/2)={0.086*120}+40=50.32
C3)={0.086*120}+(-4)=6.32
C4)={0.086*120}+25=35.32

D1/2)={1.33*120}+40=199.6
D3)={1.33*120}+(-4)=155.6
D4)={1.33*120}+25=184.6

[gattmes]

Perfetto!
Ora facciamo due considerazioni.. e vediamo di rispondere più in dettaglio alla tua domanda (non me la sono dimenticata..)

Poi un altra domanda, ma T(j) che valore assume?se T(jmax) = 200°C T(j) quanto è?

..cioè in realtà la risposta "secca" l'hai data tu.. ma vediamo il significato intrinseco:

-se scegliamo un sistema di dissipazione con resistenza termica globale come il caso Rt(4) (A 0,208C/W), notiamo che la giunzione sta ben lontana dal valore massimo (come avevo preannunciato).
Infatti pur con la temperatura massima ambiente.. e con la potenza massima (più di così!), raggiunge soli 65C circa. Potrebbe salire di ben altri (200-65) 130C!!!!
Questo ci dice che quella resistenza termica (dissipatore+tutto il resto) è ampiamente sovradimensionata (parlo teoricamente, non è detto che si riesca ad ottenerla realmente. )
Ovviamente stiamo valutando dal punto di vista termico ..di "tenuta" della giunzione. Talvolta possono esserci motivi tecnici per rimanere a "bassa temperatura" di giunzione (che so.. il rumore termico... l'escursione di alcuni parametri, ecc. ecc.) che qui ora non consideriamo.
È chiaro che la scelta A o Rt(4) equivale a mettere il motore di una Ferrari su una Cinquecento: se la cosa "viene gratis".. bene! Altrimenti se "costa" (tempo progetto, costi fisici, ma anche altri tipo spazio... o peso [es. deve .."volare"]...) è da evitare

-se scegliamo un sistema di dissipazione con resistenza termica globale come il caso Rt(3) (B 1,7C/W) notiamo che non solo alla temperatura massima ma anche a quella di 25C (di norma tra 20 e 25 viene chiamata "ambiente".... che ha significato diverso da Ta.. potremo definirla [noi] temperatura-ambiente-ambiente Taa.. giusto per distinguerla da temperatura ambiente massima.. o minima ... o..).. dicevo/scrivevo ...si superano i 200 gradi di Tjmax (ovviamente dissipando tutti i 120W). Concludendo quella configurazione si brucerà! A meno di non farla lavorare con potenza più bassa.. o al Polo Nord ...o anche Sud, insomma.. ci siamo capiti: anche con un sistema criogenico.. ecc.

-se scegliamo un sistema di dissipazione con resistenza termica globale come il caso Rt(2) (C 0,083C/W) stiamo ancora meglio che in A Rt(4).. e a cui rimando per le considerazioni (la fattibilità .. [se c'è!].. sarà ancora più difficile e/o i costi-spazi-complessità. ancora più alti)

-la scelta di un sistema di dissipazione con resistenza termica globale come il caso Rt(1) (C 1,333C/W) è quella che permette di rimanere entro la Tjmax con il minimo sistema di dissipazione possibile, anche alla massima potenza (ricordo fissata a 120W in questo caso) e la massima temperatura ambientale (fissata a 40C)
Conseguntemente è la misgliore soluzione "prestazioni/costi".

Ecco spiegato perchè, per i calcoli, si lavora con la Tjmax e la Ta max (eventualmente prendendo poi ulteriori margini): con altri "numeri" si rischia di costruire qualcosa che poi non regge (evidenziato in colore rosso), con altri ancora di realizzare qualcosa che è troppo faraonico...e sempre meno fattibile.. (colore blu)

(per favore fammi sapere se è chiaro o meno o se non è chiaro qualcosa e cosa!)

-----------------------------------------

Allora se ti convince prendiamo la Rt(1)-caso D (1,33C/W) e proseguiamo a vedere come ..(e se!).. si può realizzare. (si/no?)

[transistor86]

Se non ho capito male da qui calcoli che ho fatto in precedenza se io faccio una media otterrò un T(j) medio che in entrambi i 4 casi riesca ad avere una temperatura ideale. E' giosto il mio ragionamento?
Se fisse cisì allora avremo:

T(j) = somma di tutti i valori trovati precedentemente/i calcoli fatti = 1190.68/10 = 119.068

[gattmes]

Deve essere chiaro che le due strade sono distinte.

Quella di verifica.. ti permette poi di fare tutti i ragionamenti che vuoi.. sulla media, ecc... ovvero per sapere mediamente dove ti piazzi, ecc.

Ma quella di progetto NON può essere fatta sulla media.. ma sempre sui valori massimi.. altrimenti se progetti con un valore non massimo.. quando "spremi tutto" vai a superare i 200 gradi è ..., come diceva una vecchia pubblicità... "filano ....e fondono"...

Ricorda! da un punto di vista esclusivamente termico (**) l'obbiettivo è quello di tenere il transistor (in questo caso) SEMPRE ENTRO LA TEMPERATURA MASSIMA, non ad un valore inferiore di "x" gradi: l'obbiettivo è NON FONDERLO ..

Per fare un altro esempio, se una Tj max è data come 150C, allora 149C soddisfano questa condizione. (non si fonde a 149C! Si fonde a 150.. o 160..).
Non c'è bisogno di "progettare" per avere, nel caso più sfig... ehm.. sfavorevole 120... 0 65... o altro.

(** ho già scritto che da altri punti di vista, es. quello elettrico, ci possono essere altri obbiettivi...)

[transistor86]

Stavo finendo di modificare il msg
Quella di verifica.. ti permette poi di fare tutti i ragionamenti che vuoi.. sulla media, ecc... ovvero per sapere mediamente dove ti piazzi, ecc.

Ma quella di progetto NON può essere fatta sulla media.. ma sempre sui valori massimi.. altrimenti se progetti con un valore non massimo.. quando "spremi tutto" vai a superare i 200 gradi è ..., come diceva una vecchia pubblicità... "filano ....e fondono"...

Quello che dici tu è giustissimo, ma forse non è completamente giusto e ti spiego perchè:

facendo le corna, se noi raggiungessimo un valore R(t) maggiore il nostro transistor che fine farà? il tuo raggionamento si basa solo sul fatto della compatezza del circuito e del costo, ma della protezione del transistor no!
Poi tu dici che: quella di progetto NON può essere fatta sulla media> giustissimo, ma non si può basare nemmeno sul costo del dissipatore e dell'ingobro che esso può avere.

Vabè, per non tirarla troppo per le lunghe, quale sarà il nostro prossimo passo?vorrei arrivare almeno per domenica a qualcosa di più concreto, perchè poi vado in vacanza e ritorno la settimana prossima.
Lo so che sono argomenti delicati, ma...

[gattmes]

Non fare il passo più grande della gamba! Ho già scritto tra parentesi dei "margini"..
quelli li vediamo dopo!

Allora vorrei che fosse chiaro (per la teoria... e come punto di riferimento) perchè si parte da Tj max e Ta max...

Ora passiamo a rompere l'uovo e trovare la sorpresa.. anzi la troverai tu.. e su ragionamente che io.. ma anche tu ..avevamo scritto in precedenza.

Supponiamo di aver optato per una resistenza di 1,7C/W
Se vuoi prenderti un margine e abbassarla.. fallo.. ma non esagerare .. Vuoi fare 1,6... o 1,5 (eh eh eh...)?
Nel caso, scrivi il dato con cui fai i calcoli!

Io avevo scritto:

A noi interessa (solitamente) la temperatura interna al componente (è il silicio che si fonde!): è quella che vogliamo tenere sotto controllo. Nei dispositivi di potenza il "silicio attivo" è "appiccicato" di norma a una base metallica per maggiore trasmissione del calore. Tuttavia anche questa soluzione determina una piccola resistenza termica.. che si va a sommare a quella del dissipatore
...
Il contenitore e il dissipatore non sono completamente lisci, ma presentano delle microrugosità. Conseguentemente contenitore/dissipatore non "toccano" completamente ma solo in alcuni punti (ovviamente la cosa è visibile a microscopio). Questo può essere visto come una ulteriore resistenza termica di contatto: la resistenza contenitore-dissipatore (case to heatsink -> Rch), che va ovviamente a sommarsi a quella generale.

tu avevi scritto:

Rjc = Resistenza termica fra junzione e contenitore
Rcd= Resistenza termica fra contenitore e dissipatore
Rda= Resistenza termica fra dissipatore e ambiente
Rja = Resistenza termica fra junzione e ambiente, la somma di tutte le resistenze termiche.

Rja= Rjc + Rcd + Rda

-------------------------------------------------

Ci siamo!
Allora noi adesso abbiamo la resistenza termica totale giunzione-ambiente Rja. Supponiamo (per ora) che la resistenza termica contenitore-dissipatore Rcd sia zero (e non lo è...):
mi calcoli, nota la resistenza termica giunzione-contenitore Rjc (-> "pdf" datasheet), quanto dovrebbe essere la resistenza termica del dissipatore (resistenza dissipatore-ambiente Rda).. così poi vediamo se ..se ne trova uno che soddisfa quella condizione?

(PS mi raccomando.. allega il link/collegamento del "pdf/datasheet" che consideri... in modo che tutti possano vedere la fonte dei dati.. e in che punto si trovano nel documento)

[Elektron]

Quello che dici tu è giustissimo, ma forse non è completamente giusto e ti spiego perchè:

facendo le corna, se noi raggiungessimo un valore R(t) maggiore il nostro transistor che fine farà? il tuo raggionamento si basa solo sul fatto della compatezza del circuito e del costo, ma della protezione del transistor no!
Poi tu dici che: quella di progetto NON può essere fatta sulla media> giustissimo, ma non si può basare nemmeno sul costo del dissipatore e dell'ingobro che esso può avere.

Vabè, per non tirarla troppo per le lunghe, quale sarà il nostro prossimo passo?vorrei arrivare almeno per domenica a qualcosa di più concreto, perchè poi vado in vacanza e ritorno la settimana prossima.
Lo so che sono argomenti delicati, ma...

Spesso si basa proprio sul costo e sull'ingombro, si sacrifica l'affidabiltà che risulta inversamente proporzionale alla temperatura di giunzione (con legge complessa).
PEr il resto ... alla grande ...

[gattmes]

non appena transistor86 ci fornirà il dato.. e passeremo a studiare la parte dissipatore... "pesi e misure" verranno fuori... e ogni dubbio e arcano saranno svelati!
(Spero...)

[Lele183]

Ohe vi siete fermati?

[transistor86]

Ciao gatmen, sono appena tornato dal mare, purtroppo non sono riuscito a trovare la Rjc sul datasheet, potresti darmi una mano?

[gattmes]

Si certo....
però avevo scritto:

(PS mi raccomando.. allega il link/collegamento del "pdf/datasheet" che consideri... in modo che tutti possano vedere la fonte dei dati.. e in che punto si trovano nel documento)

e vedo che non l'hai fatto (vabbè... la pigrizia post vacanza...)

allora..
vado su google e digito 2n3055 datasheet

Dal mio "sito" la prima risposta è questo link:
2N3055 Datasheet pdf - TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE - ST Microelectronics

Provo a prendere il primo proposto (della ST [= SGS-Thomson]) e quindi clicco nella scritta a destra:
Scarica 2N3055 datasheet de
ST Microelectronics
(ovvero fisicamente qua:
http://www.datasheetcatalog.org/data...onics/4079.pdf)

La Rjc è in seconda pagina... la vedi?

[energiaverdeshop]

Regolatore di carica

Salve , sapete quali sono le aziende che producono regolatori di carica per impianti microeolici?? Grazie in anticipo!!!

[dududidan]

Ciao, conosco il TriStar e Morning Star ma ce ne sono tanti altri

[energiaverdeshop]

ma andranno bene per generatore trifase?? bhoooo chi lo sa??

[dududidan]

si, ma ci devi mettere un raddrizzatore

[energiaverdeshop]

sarebbe?? non e la zavorra. hai uno schema?

[dududidan]

è un pezzetto di elettronica che colleghi all'output della turbina prima del regolatore di carico e inverter, si chiama cosi...